Межэлектродное напряжение

Cтраница 2

Уравнения ( 1) не учитывают, в частности, падения напряжения на сопротивлениях материала базы, коллектора и эмиттера; из-за наличия указанных сопротивлений напряжения на лереходах отличаются от внешних межэлектродных напряжений. [16]

При межэлектродных пробоях возможно разрушение ламп, особенно если пробои возникают у спаев стекла с вводами или анодами ламп. Поэтому величины межэлектродных напряжений, даже мгновенные, не должны превышать установленных для каждой лампы значений. [17]

Расчет производится в следующей последовательности. Сначала выбираются транзисторы, причем их допустимые межэлектродные напряжения. [18]

Общий случай транзисторного ключа ( а и его эквивалентная схема в режиме насыщения ( б.| Обобщенные схемы, соответствующие теореме узловых напряжений. [19]

Выше мы не учитывали объемных сопротивлений слоев. Учет этих сопротивлений сводится к тому, что межэлектродные напряжения следует изменить на величину падения напряжения в соответствующем слое. [20]

С уменьшением Ек ухудшаются динамические свойства триггера, что в ряде случаев неприемлемо. Погрешность предложенной методики расчета, основанной на пренебрежении межэлектродными напряжениями, растет три напряжении питания, сравнимом с эти - - ми напряжениями. Это особенно проявляется в случае кремниевых триодов, у которых при одном и том же токе падение напряжения на переходе - больше, чем у германиевых. [21]

С уменьшением Ек ухудшаются динамические свойства триггера, что в ряде случаев неприемлемо. Погрешность предложенной методики расчета, основанной на пренебрежении межэлектродными напряжениями, растет при напряжении питания, сравнимом с этими напряжениями. Это особенно проявляется в случае кремниевых триодов, у которых при одном и том же токе падение напряжения на переходе больше, чем у германиевых. [22]

Приближенный расчет камеры электризации может быть произведен следующим образом. Выбирая длину разрядного промежутка от 30 до 80 мм и межэлектродное напряжение по практическим дав - ным, по формулам (IV.30) - (IV.32) и (IV.34), (IV.35) производят расчет заряда частиц пыли с заданным фракционным составом. [23]

При выборе напряжений источников питания необходимо учитывать, что для повышения надежности не следует допускать работу закрытых транзисторов в предельных режимах по напряжению. С этой точки зрения в соответствии с выражениями ( 2 - 24) желательно выбирать напряжения ЕК1 и Екг в 1 5 - 2 раза ниже предельных значений межэлектродных напряжений транзисторов. [24]

Применение катодного повторителя для включения глубинного прибора, входящего в комплект аппаратуры радиоактивного каротажа. [25]

В усилителях с анодной нагрузкой динамический диапазон ограничен появлением сеточных т ков при больших положительных напряжениях на сетке лампы. Практически динамический диапазон определяется лишь амплитудой межэлектродного напряжения, допустимой по соображениям пробоя изоляции. Стабильность катодного повторителя высокая, что также объясняется действием 100 % - ной обратной связи. Указанные положительные ( качества катодного повторителя обеспечили ему широкую область применения. [26]

Как н для приемно-усилительных, возможность применения генераторных ламп в различных схемах определяется не только статическими параметрами, но и рядом дополнительных свойств. К маломощным генераторным лампам относятся соображения, изложенные при рассмотрении дополнительных параметров приемно-усилительных ламп. Особенности требований, предъявляемых к генераторным лампам средней мощности и к мощным лампам, связаны в основном с высокими межэлектродными напряжениями ( как постоянными, так и переменными) и большими значениями токов электродов. [27]

Транзисторный ключ с гальваническим управлением.| Улучшенные варианты транзисторных ключей с гальваническим управлением. [28]

Отличительной чертой гальванического управления является большой перепад управляющего напряжения. Это часто заставляет включать преобразователи уровней управляющих сигналов, которые во время-импульсных устройствах являются дополнительным источником погрешностей, так как искажают временные соотношения. Кроме того, здесь характерны большие межэлектродные напряжения на запертом транзисторе, которые более чем вдвое превышают шкалу переключаемого напряжения. Недостатком схемы на рис. 6.3 является также зависимость тока базы насыщенного транзи-стора, а значит, параметров U3 и R3 от уровня передаваемого сигнала. Ослаб - - ление этого эффекта возможно за счет увеличения Re и / упр, что, однако, не всегда является оправданным. [29]

Страницы: 1 2