Cтраница 2
Намагничивание различных материалов зависит от их магнитной восприимчивости и напряженности приложенного магнитного поля. Ферромагнитные материалы легко намагничиваются, но после определенного значения Н происходит насыщение, и дальнейшее увеличение напряженности не приводит к увеличению намагничивания. Индуцированное магнитное поле в парамагнетиках гораздо слабее, но практически не насыщается. [16]
Расстояние между уровнями энергии зависит в первую очередь от напряженности приложенного магнитного поля. Оно зависит также от величины ядерного магнитного момента, который определяется не только спиновым квантовым числом, но и внутренним строением ядра. При фиксированном значении магнитного момента расстояние между энергетическими уровнями растет пропорционально напряженности приложенного магнитного поля. Это приводит к тому, что становится легче измерять такие разности энергии, а разрешение при этом улучшается. Поэтому прогресс в области спектроскопии ЯМР определяется нашей способностью создавать очень мощные и очень однородные магнитные поля. [17]
При постоянной частоте электромагнитного облучения в случае ядерного резонанса напряженность приложенного магнитного поля непосредственно характеризует магнитное поле, действующее на данный протон, и зависит от структуры остальной части молекулы. [18]
Намагничивание различных материалов зависит от их магнитной восприимчивости и напряженности приложенного магнитного поля. Ферромагнитные материалы легко намагничиваются, но после определенного значения Н происходит насыщение, и дальнейшее увеличение напряженности не приводит к увеличению намагничивания. Индуцированное магнитное поле в парамагнетиках гораздо слабее, но практически не насыщается. [19]
Спектрометр электронного парамагнитного резонанса ( McLauch-lan К. A., Magnetic Resonance, Clarendon Press, Oxford, 1972. [20] |
Молекулы разных типов приходят в резонанс при различных значениях напряженности приложенного магнитного поля. [21]
Следует заметить, что величина сверхтонкого взаимодействия не зависит от напряженности приложенного магнитного поля. [22]
Это выражение связывает частоту поглощаемой пли излучаемой электромагнитной энергии с напряженностью приложенного магнитного поля. [23]
Магнитная восприимчивость вещества является выражением его магнитной поляризации, отнесенной к напряженности приложенного магнитного поля. Основанный на этом явлении ма-гнетохимический, пли магнетометрический, метод исследования строения молекул очень близок по своему характеру к методу парахора и к рефрактометрическому методу. [24]
Магнитная восприимчивость вещества является выражением его магнитной поляризации, отнесенной к напряженности приложенного магнитного поля. Основанный на этом явлении ма-гнетохимический, или магнитометрический, метод исследования строения молекул очень близок по своему характеру к методу парахора и к рефрактометрическому методу. [25]
Угловая частота этой прецессии называется лармо-ровой частотой, ее величина зависит от напряженности приложенного магнитного поля и свойств ядра. [26]
В экспериментах по магнитному резонансу произведение постоянной экранирования а; на абсолютную величину напряженности приложенного магнитного поля, аг Я, рассматривается как химический сдвиг. [27]
Протонный резонанс в CaSO4 - 2H2O ( Я06823 Гс. v029 01 МГц. [28] |
Величина константы спин-спинового взаимодействия определяется числом и характером связей между ядрами, геометрией молекул и не зависит от напряженности приложенного магнитного поля. [29]
Диаграмма протонного химического сдвига для ряда органических соединений ( по Мейеру, Заике и Гутов. [30] |