Напряженность - приложенное магнитное поле
Cтраница 3
Наиболее часто ядерные магнитные спектры вычерчивают подобно рис. 16.3, откладывая по вертикальной оси относительную интенсивность сигнала, а по горизонтальной - напряженность приложенного магнитного поля. [31]
Здесь D и g - тензоры, которые для данного орбитального состояния являются постоянными, р - магнетон Бора и Н - напряженность приложенного магнитного поля. [32]
Из формул ( 147) и ( 148) видно, что при фиксированной частоте электромагнитного излучения величина MOB прямо пропорциональна длине пути света в веществе, величине напряженности приложенного магнитного поля, концентрации электронов в зоне проводимости и обратно пропорциональна их эффективной массе. Таким образом, если известна концентрация электронов, то формулы ( 147) или ( 148) могут быть использованы для определения их эффективной массы. [33]
 |
Магнитострикционные элементы. а - простейшая схема. б - схема совпадающих токов. [34] |
Имеются элементы, в которых ферромагнитный материал наносится в виде слоя на немагнитную проволоку - основу. Зависимость величины, обратной времени перемагничивания, от напряженности приложенного магнитного поля у магнитострикционных элементов сходна с подобной зависимостью для ферритов и микронных сердечников. [35]
 |
Примеры ядер, имеющих полуцелый спин ( i. [36] |
В жидкостях вследствие броуновского движения магнитные поля, вызванные диполь-дипольным взаимодействием, усредняются до нуля, и условие резонанса зависит только от локальных магнитных полей, связанных со структурой молекулы. Эти дополнительные поля в 106 раз слабее по напряженности приложенного магнитного поля Я0, поэтому спектрометр ЯМР для исследования жидкостей и газов должен обладать высокой разрешающей способностью. [37]
Для металлических лент Sw лежит в пределах 0 2 - 10-в - 0 5 - 10 - 6 э-сек, в то время как для ферритов оно составляет примерно 0 8 10 6 э-сек. Из уравнения ( 8 - 0.1) вытекает, что если напряженность приложенного магнитного поля Нт возрастает, то время переключения уменьшается. В сердечниках, применяемых для запоминающих устройств, напряженность приложенного магнитного поля обычно ограничивается удвоенным значением / 70, так что ts не может уменьшаться просто путем одного увеличения Нт. Если это так, то низкое значение Ts требует не только малого коэффициента переключения Sw, но также и высоких значений пороговой напряженности поля. [38]
К числу металлов, обладающих свойствами магнитострикции, принадлежат железо, кобальт, никель и др., а также ряд сплавов. На рис. 112 приведены кривые продольной магнитострикции поликристаллических образцов железа, никеля и кобальта в зависимости от напряженности приложенного магнитного поля. [39]
При помещении вещества, содержащего магнитные ядра, в постоянное магнитное поле энергетические уровни расщепляются. Разница в энергиях соседних уровней зависит от свойств ядра ( это учитывается гиромагнитным коэффициентом у) и от напряженности приложенного магнитного поля Я. [40]
Основная часть индикатора - большое число очень маленьких шариков, которые имеют собственный магнитный дипольный момент. Шарики наполовину посеребрены, наполовину зачернены и размещаются в капсулах, которые содержат смазку для облегчения вращения. В зависимости от ориентации вектора напряженности приложенного магнитного поля шарики показывают либо черную, либо посеребренную полусферу или комбинацию каждой. Используя различные ориентации множества этих шариков, можно получить черно-белое изображение. [41]
Для металлических лент Sw лежит в пределах 0 2 - 10-в - 0 5 - 10 - 6 э-сек, в то время как для ферритов оно составляет примерно 0 8 10 6 э-сек. Из уравнения ( 8 - 0.1) вытекает, что если напряженность приложенного магнитного поля Нт возрастает, то время переключения уменьшается. В сердечниках, применяемых для запоминающих устройств, напряженность приложенного магнитного поля обычно ограничивается удвоенным значением / 70, так что ts не может уменьшаться просто путем одного увеличения Нт. Если это так, то низкое значение Ts требует не только малого коэффициента переключения Sw, но также и высоких значений пороговой напряженности поля. [42]
Расстояние между уровнями энергии зависит в первую очередь от напряженности приложенного магнитного поля. Оно зависит также от величины ядерного магнитного момента, который определяется не только спиновым квантовым числом, но и внутренним строением ядра. При фиксированном значении магнитного момента расстояние между энергетическими уровнями растет пропорционально напряженности приложенного магнитного поля. Это приводит к тому, что становится легче измерять такие разности энергии, а разрешение при этом улучшается. Поэтому прогресс в области спектроскопии ЯМР определяется нашей способностью создавать очень мощные и очень однородные магнитные поля. [43]
В результате уменьшается давление, стремящееся удержать границу в ее исходном ] положении, граница постепенно освобождается и удаляется от своего первоначального положения. При этом возникает тенденция к стабилизации мгновенных положений доменной границы. В зависимости от формы и глубины потенциальной ямы, в которой первоначально была стабилизирована граница, и напряженности приложенного магнитного поля реализуется одна из двух возможностей: либо конечное состояние достигается в результате обратимого смещения, либо граница преодолевает энергетический барьер и необратимо сдвигается в повое положение и, пройдя объем домена, сливается с другой границей. [44]
 |
Функциональный прибор на основе эффекта Холла. [45] |
Страницы: 1 2 3 4