Критическая напряженность - поле
Cтраница 1
Критическая напряженность поля Нкр соответствует траектории 3, когда электрон пролетает у поверхности анода, почти касаясь ее, и возвращается на катод. [1]
Величина критической напряженности поля составляет примерно 10 В / см. Поля, у которых напряженность меньше критического значения, называют слабыми, больше критического - сильными. Величина критической напряженности зависит от температуры. При рассеянии носителей заряда на тепловых колебаниях решетки критическая напряженность поля с ростом температуры увеличивается. Причина заключается в том, что с ростом температуры уменьшается длина свободного пробега носителей заряда, поэтому для того, чтобы носители могли приобрести скорость, большую тепловой, напряженность электрического поля нужно увеличивать. [2]
 |
Зависимость степени термической ионизации а. [3] |
Начальная или критическая напряженность поля короны Ек, при которой возникает коронный разряд постоянного тока, зависит от радиуса провода и плотности воздуха. [4]
Для получения значений критической напряженности поля было выполнено экспериментальное исследование на моделях. Струя воздуха, создаваемая вентилятором, поднимала вверх сделанную из алюминиевой фольги частицу толщиной 0 03 мм, шириной 1 мм и длиной от 5 до 25 мм. При отсутствии электрического поля частицы сохраняли горизонтальное положение, совершая колебательное движение относительно него. При включении вертикального поля всегда можно было найти такое значение напряженности, при котором происходило изменение положения частицы с горизонтального на вертикальное. [5]
 |
Вольт-амперная характеристика промежутка положительная игла - плоскость в воздухе. [6] |
Опыты показывают, что критическая напряженность поля на поверхности провода Ек, при которой корона приобретает форму самостоятельного разряда, мало зависит от полярности. [7]
Почему лавинный пробой, критическая напряженность поля которого меньше, чем у туннельного, развивается при больших напряжениях. [8]
Поскольку в этой структуре критическая напряженность поля создается не в узком р-п переходе, а в относительно широком слое собственной электропроводности, то здесь можно обеспечить более высокие пробивные напряжения. Таким образом, структура p - i - n удобна для получения большой мощности на высоких частотах. [9]
Напряжение, обеспечивающее создание критической напряженности поля, или, иначе, напряжение на электродах, при котором возникает коронный разряд, называется критическим напряжением, или критической разностью потенциалов. При возникновении короны в газовом промежутке между электродами в области, непосредственно примыкающей к коронирующему проводу, за счет ударной ионизации образуются ионы обоих знаков и свободные электроны. [10]
При температуре вольфрама 1200 К критическая напряженность поля для десорбции с краев граней ( НО) при 0 равна 35 мгв см-1 и линейно увеличивается с ростом б, пока не достигнет при 6 0 70 величины 72 мгв см-1. Это, по-видимому, объясняется тем, что барий мигрирует к области ( 110), где он может легче всего десорбироваться под действием положительного поля. [11]
Далее рассмотрим, как зависит критическая напряженность поля, необходимая для десорбции, от присутствия дополнительных адсорбированных ионов. Поле, создаваемое около данного иона его соседями, может быть легко рассчитано, если учесть действие диполей, состоящих из этих ионов, а также их электрические изображения. Эти поля сравнимы по своей величине с критическими полями, необходимыми для десорбции, но имеют тенденцию удерживать ион на поверхности, и поэтому чем больше бария адсорбируется, тем труднее оторвать любой из его ионов. [12]
Значение безразмерного параметра, определяющего критическую напряженность поля, было получено также Аусманом и Бруком [217] для капель воды радиусом 1 2; 1 5 и 2 7 мм в пределах температур от 46 до - 9 С. [13]
Предельная мощность в антенне определяется критической напряженностью поля, при которой начинается электрический пробой окружающей среды или элементов конструкции антенны. Рабочая мощность антенны выбирается в 2 - 3 раза меньше предельной мощности. [14]
Принято считать, что в сверхпроводнике при критической напряженности поля как в массивном образце сверхпроводника, так и в тонкой пластине поверхностная плотность тока одинакова. [15]
Страницы: 1 2 3 4