Критическая напряженность - поле
Cтраница 2
Из формулы ( 27) следует, что критическая напряженность поля повышается с увеличением межфазного поверхностного натяжения и уменьшением радиуса капельки. Это понятно, чем больше силы поверхностного натяжения и чем меньше размер капельки, тем она устойчивее и тем большая требуется напряженность поля для ее разрушения. [16]
Нс - О, при Т - 0 критическая напряженность поля возрастает, составляя для большинства сверхпроводников от нескольких сот до нескольких тысяч эрстед. [17]
Принципиальная возможность использования этого соотношения для определения увеличения критической напряженности поля доказана экспериментом. Результаты некоторых самых ранних опытов на свинцовых нитях представлены на фиг. Происходит это вследствие существования длины когерентности, понятие о которой было введено в разд. [18]
Следовательно, всегда будут существовать границы, для которых критическая напряженность поля сколь угодно мала. [19]
Однако мы не смогли установить какую-нибудь систематическую взаимосвязь между критической напряженностью поля Ек, при которой отступление от закона Ома становится заметным, и шириной запрещенной зоны, поскольку было совершенно невозможно определить величину Ек или U с достаточной точностью. [20]
Однако мы не смогли установить какую-нибудь систематическую взаимосвязь между критической напряженностью поля Ея, при которой отступление от закона Ома становится заметным, и шириной запрещенной зоны, поскольку было совершенно невозможно определить величину Ек или V с достаточной точностью. [21]
Это объясняет внезапность, с которой наступает десорбция при достижении критической напряженности поля, и тот факт, что десорбция протекает нацело, как только будет превышена критическая величина поля. [22]
Объяснение этому эффекту может быть найдено, если предположить, что критическая напряженность поля достигается не по всей длине образца, равной /, а в каком-то его отдельном сечении, которое на рис. V.23 обозначено штриховой линией. Предположим, что в этом сечении имеется некоторая неоднородность ( заштрихованная область), повышающая сопротивление в нем. [23]
Вычислить длину свободного пробега, которую пройдет электрон в сильном электрическом поле, если критическая напряженность поля равна 2Х ХЮ4 В / см. Температура комнатная. [24]
В то время как сверхпроводники I рода переходят в нормальное состояние скачком, при строго определенной критической напряженности поля Яс, у сверхпроводников II рода этот переход совершается постепенно: начиная с ЯСП Ясп [ где ЯС1, определяется соотношением (10.6) ], поле частично проникает в сверхпроводник. [25]
Постоянная интегрирования С определяется из граничных условий: при Е Е0 xRi, где Е0 - критическая напряженность поля на поверхности провода. [26]
 |
Искровой разряд. [27] |
Электрическая искра возникает в том случае, если электрическое поле в газе достигает некоторой определенной величины Ек критическая напряженность поля или напряженность пробоя), которая зависит от рода газа и его состояния. [28]
 |
Искровой разряд. [29] |
Электрическая искра возникает в том случае, если электрическое поле в газе достигает некоторого определенного значения Ек ( критическая напряженность поля, или напряженность пробоя), которая зависит от рода газа и его состояния. [30]
Страницы: 1 2 3 4