Cтраница 1
Максимальная напряженность поля возрастает при увеличении концентрации примесных атомов. При обратном смещении перехода области пространственного заряда вытягиваются к границам полупроводникового кристалла. [1]
Зависимости положения левой границы - - запирающего слоя от 1 - 1М для различных токов. [2] |
Максимальная напряженность поля в переходе уменьшается, так как поле, создаваемое зарядами электронов и дырок, образовавшихся в результате ударной ионизации, ослабляет поле, вызванное обратным смещением на переходе. [3]
Принципиальная схема включения высоковольтных.| Схема распределения токов в дегидраторе с двумя плоскими. [4] |
Максимальная напряженность поля достигается в межэлектродном пространстве, и ее можно оценить как напряженность поля в плоском конденсаторе, образованном электродами. Меньшая напряженность поля реализуется между нижним электродом и слоем дренажной воды и еще меньшая - между верхним электродом и корпусом аппарата. Различие напряженностей электрического поля в верхней и нижней частях аппарата объясняется различием расстояний между электродами и проводящими поверхностями, между которыми оно создается. [5]
Трехфазный кабель с вязкой пропиткой на 20 - 35 кв. [6] |
Максимальная напряженность поля на поверхности жилы находится в пределах от 2 3 до 3 5 кв / мм. [7]
Схема распределения токов в дегидраторе с двумя плоскими электродами. [8] |
Максимальная напряженность поля достигается в межэлектродном пространстве, и ее можно оценить как напряженность поля в плоском конденсаторе, образованном электродами. Меньшая напряженность поля реализуется между нижним электродом и слоем дренажной воды и еще меньшая - между верхним электродом и корпусом аппарата. Различие напряженностей электрического поля в верхней и нижней частях аппарата объясняется различием расстояний между электродами и проводящими поверхностями, между которыми оно создается. [9]
Растет максимальная напряженность поля и умножение. Вывод аналитического выражения зависимости коэффициента умножения от плотности тока приведен в приложении. [10]
Величина максимальной напряженности поля подмагничивания определяется по режиму максимальной скорости электропривода в заданном диапазоне регулирования. [11]
Определим максимальную напряженность поля, при которой материал с размерами частиц до 70 мк еще можно загружать в оункер самотеком. [12]
Зависимости В ( Я и ц ( Я. [13] |
Ях - максимальная напряженность поля, соответствующая вершинам петли гистерезиса. [14]
При расчете максимальной напряженности поля на поверхности экрана следует учитывать влияние ошиновки, подводящей напряжение к разъединителю. Эта ошиновка присутствует всегда и в зависимости от своих размеров и расположения относительно экрана в той или иной степени искажает электростатическое поле экрана и уменьшает максимальную напряженность поля на его поверхности. [15]