Cтраница 2
Известно, что максимальная напряженность поля на поверхности экранов может меняться в широких пределах в зависимости от размеров оболочки, причем одновременно с изменением внутреннего радиуса оболочки R меняются длина изолирующего промежутка и степень неоднородности поля в нем. Напряженность максимальна на поверхности внутреннего экрана и по мере увеличения R от г до R r меняется в широких пределах. Оптимальное соотношение размеров экрана и оболочки соответствует минимуму максимальной напряженности. [16]
Однако для вычисления максимальных напряженностей поля необходимы лишь заряды на тороидах, замещающих наиболее напряженные элементы экранов на их окончаниях. [17]
Семейство симметричных пе-гель гистерезиса. [18] |
При увеличении значения максимальной напряженности поля Ямакс Для данной петли гистерезиса ее площадь увеличивается и при некотором значении ЯМакс достигает наибольших размеров. Эта наибольшая петля называется предельной петлей гистерезиса. [19]
Вид разряда определяется максимальной напряженностью поля и степенью его неоднородности. [20]
Величина ц является функцией максимальной Напряженности поля / /, длительности импульса т, частоты повторения импульсов и температуры. [22]
Выбором размеров сердечника и максимальной напряженности поля возбуждения добиваются необходимой чувствительности либо необходимого диапазона измеряемых полей. [23]
Характерно накопление осадка в зоне максимальной напряженности поля, а также образование укрупненных частиц осадка и их коагуляция. [24]
На рис. 5 приведена зависимость максимальной напряженности поля Е в области объемного заряда на поверхности от угла фаски в при постоянном значении приложенного напряжения. Как видно из рисунка, при сравнительно небольших углах фаскя достигается сильное уменьшение поля на поверхности, и лавинный пробой развивается в объеме. Исследования показали, что он тоже неоднороден и происходит в микроканалах, в которых имеется искажение поля, вызванное наличием в кремнии частиц SiC2, неоднородностью распределения легирующей примеси и металлических загрязнений, сгруппированных вокруг структурных дефектов. [25]
Исходной величиной в этом случае является максимальная напряженность поля у поверхности провода, ограничиваемой короной. [26]
Оптимальная фокусировка очень важна при получении максимальной напряженности поля сфокусированного излучения. Как хорошо известно, если в среде возникает люминесценция, то, используя достаточно добротный резонатор, можно осуществить обратную связь и создать, таким образом, генератор излучения заданной частоты. Использование параметрической люминесценции позволяет создать параметрический генератор. [27]
Семейство частных петель гистерезиса. [28] |
При этом частные петли, снятые при меньших максимальных напряженностях поля, всегда располагаются внутри петель, снятых при более сильных намагничивающих полях. [29]
По этим величинам из кривых одновременного намагничивания находят максимальную напряженность поля обмотки управления Яу. [30]