Напыление - металлическая пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если бы у вас было все, где бы вы это держали? Законы Мерфи (еще...)

Напыление - металлическая пленка

Cтраница 1


1 Вакуумное напыление тонких металлических пленок. [1]

Напыление металлических пленок осуществляется в специальных установках ( рис. 64) в среде инертного газа с давлением порядка 10 - 4 - 10 - 6 Па. В качестве испарителей применяют проволочки, ленты, лодочки, подогреваемые проходящим через них током.  [2]

Возможность напыления металлических пленок на изоляторы и управляющую сетку вызывает заметную фотоэлектронную эмиссию, значительно затрудняет применение в электрометрических лампах таких активных газопоглотителей, как магний и тем более барий. В миниатюрных и сверхминиатюрных лампах приходится принимать все меры к резкому ограничению поверхности зеркала газопоглотителя на баллоне лампы, применяя остро направленный поглотитель.  [3]

4 Способ фотолитографии. [4]

При изготовлении полупроводниковых ИМС применяется эпи-таксиально-планарная технология, основными процессами которой являются: эпитаксия-наращивание тонких слоев кремния с про-водимостями различного типа ( в данном случае наращивается слой с проводимостью, противоположной проводимости исходного кристалла), маскирование и фотолитография ( получение различных рельефов с помощью масок), локальная диффузия донорных и акцепторных примесей ( получение слоев п - и р-типов), напыление металлической пленки для создания электрических соединений.  [5]

6 Способ фотолитографии. [6]

При изготовлении полупроводниковых ИМС применяется эпи-таксиально-планарная технология, основными процессами которой являются: эпитаксия - наращивание тонких слоев кремния с про-водимостями различного типа ( в данном случае наращивается слой с проводимостью, противоположной проводимости исходного кристалла), маскирование и фотолитография ( получение различных рельефов с помощью масок), локальная диффузия донорных и акцепторных примесей ( получение слоев п - и р-типов), напыление металлической пленки для создания электрических соединений.  [7]

8 Схема металлизации деталей напылением в вакууме. / - вакуумная камера. 2-электрическая спираль. 3 - распыляемая проволока. 4 - металлизируемые детали. [8]

Улучшение сцепления металлопокрытия достигается также предварительным нанесением на поверхность изделия грунта из полимеризующихся лаков. После напыления металлической пленки ( толщина которой 0 05 - 0 07 мкм), этот же лак наносят на металлопокрытие для предохранения его от истирания и других неблагоприятных внешних воздействий. Для придания покрытию желаемого цвета или имитации металлопокрытия, например под золото или серебро, в состав лака вводят соответствующие красители.  [9]

На эту пластину наносят ( напыляют) тонкие пленки нужных материалов. Эта методика очень удобна для формирования резисторов и конденсаторов с требуемыми параметрами, а также для напыления металлических пленок, которые используются как перемычки между компонентами, образующими схему, и как контактные площадки. К последним приваривают или припаивают проволочные выводы схемы. Однако высококачественные р-л-лереходы при этой технологии пока получить трудно.  [10]

11 Определение углов разори-ентации. [11]

Параметр Аи / и представляет собой меру пьезоэлектрической связи для ПАВ. Шульц и Матзингер 1182 ] определяли этот параметр экспериментально, измеряя сдвиг фазы ПАВ, обусловленный напылением металлической пленки на подложку.  [12]

Технологический процесс получения МДП-ИМС требует проведения технологических операций в основном тех же типов, что и в процессе получения ИМС на биполярных транзисторах. Сюда входят операции выращивания изоляционного слоя двуокиси кремния, фотолитография, травление окон в двуокиси кремния, диффузия примесей, напыление металлических пленок на слой двуокиси кремния и др. Каждая из этих операций по требованиям к тщательности выполнения примерно аналогична соответствующим операциям, выполняемым при изготовлении ИМС на биполярных транзисторах. Исключение составляет получение тонкой пленки двуокиси кремния под затвором в МДП-транзисторе, так как напряженность поля в этом слое достигает 106 В / см и малейшие нарушения в структуре этого слоя могут приводить к пробоям. Кроме того, к электрическим параметрам этого тонкого слоя предъявляют специальные требования.  [13]

Другие пьезосопротивления, на основе пленок кремния, хотя и имеют коэффициент тензочувствительности у50при 200 С, однако, при высоких температурах они гораздо менее чувствительны и значительно менее стабильны. Пленки платины или хрома напыляли на подложки, состоящие из молибденовой ленты толщиной 0 127 мм, покрытой слоем окиси алюминия толщиной 2 5 - 10 - 2 мм и сверху - стеатитом такой же толщины. В такой комбинации достигается высокое удельное сопротивление, требуемое при 600 С, и обеспечивается достаточно гладкая поверхность подложки, необходимая для напыления металлической пленки.  [14]

На рис. 5.1 показана схема типичной установки напыления. Распыляемый материал помещают в маленькую лодочку из тугоплавкого материала, например, вольфрама, молибдена или тантала. Могут быть также использованы навитые из проволоки ( из этих же материалов) нагреватели - коническая корзина или спиральная катушка. В этом случае распыляемый металл подвешивается на одном из витков нагревателей. После закрепления подложки на ее поверхность осуществлятся напыление металлической пленки.  [15]



Страницы:      1