Последовательное напыление

Cтраница 1

Последовательное напыление через маски отдельных тонкопленочных слоев для получения резисторов, конденсаторов, контактных площадок и проводников; конечным результатом этого этапа является получение пассивной части микросхемы. [1]

Тонкопленочный транзистор. [2]

Конденсаторы получают путем последовательного напыления слоя металла i ( Al), диэлектрика и металла. В качестве диэлектрика используют SiO, SiOa, окиси тантала и титана. [3]

Второй метод ( метод последовательного напыления за один технологический цикл откачки) заключается в том, что маски и подложки не совмещаются заранее на воздухе, а помещаются на отдельные карусели, которые могут перемещаться под вакуумным колпаком одна относительно другой. При повороте карусели масок относительно карусели подложек на определенный угол ( 60) перед подложкой меняется маска и их совмещение происходит непосредственно в откачиваемом объеме. [4]

Этот тип катода образуется путем последовательного напыления на стекло слоев висмута и серебра с последующим окислением их кислородом и обработкой в парах цезия. Структура таких катодов изучена недостаточно. Считается, что при активировании катода цезием образуется соединение типаСз3В1 и окислы цезия с распределенными в слое частицами серебра и его окисла. [5]

Револьверная головка для резистивных испарителей. [6]

Для того чтобы при последовательном напылении нескольких материалов на одну подложку получались однородные и повторяемые пленки, желательно, чтобы напыление производилось из одной и той же точки. [7]

Многослойная система может наноситься либо последовательным напылением с разных испарителей ( реже испарением с одного испарителя) через соответствующие трафареты, либо напылением сплошного покрытия с последующей фотолитрографией. [8]

Диаграмма состояния системы Pt-Аи. Составлена по данным различных источников, обработанных Хансеном и Эллиотом. [9]

Авторы [124, 125] исследовали пленки Pt-Ru, полученные последовательным напылением компонентов и отожженные при 770 К в СВВ. Результаты рентгенографического анализа говорят о взаимной растворимости компонентов; исключение составляет только область состава, отвечающего 30 - 50 ат. [10]

Конечная стадия развития криотрона наступает тогда, когда становится ясно, что технологически цилиндрическая конструкция криотрона хуже плоской и что легче создать плоский хриотрон с результирующим усилением по току. Его можно получить последовательным напылением слоев олова, свинца и окиси кремния методом маски. [11]

Пленочные интегральные схемы получают последовательным напылением на диэлектрическую подложку проводящих, полуйроводящих и диэлектрических пленок. Определенная последовательность и направленность напыления обеспечивает получение активных и пассивных элементов схемы ( резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) и необходимые электрические соединения между ними. Более перспективными являются полупроводниковые интегральные схемы, которые представляют собой микроминиатюрные функциональные моноблоки твердого тела, на поверхности и в объеме которого создаются области, образующие активные и пассивные элементы. [12]

Интерес представляют фотоэлектрические свойства периодических структур с контролируемой слоистой ( одномерной) неоднородностью. Такие системы могут быть созданы, например, последовательным напылением пзриодически чередующихся слоев разных типов проводимости. Современные технологические методы ( например, молекулярная эпитаксия) позволяют создавать слоистые структуры с отклонением от периодичности не более нескольких моноатомных слоев. [13]

Акустическая мощность разработанного в ОАО Оренбургнефть магнитострикционного излучателя на два порядка превосходит мощность обычных ферромагнитных излучателей. Для предотвращения явления саморазрушения сердечника, имеющего значительную длину ( 2 8 м) в сильных акустических полях, предложен способ его выплавки последовательным напылением в электродуговых печах с одновременным армированием железным прутком со спиральной навивкой. [14]

Интегральный конденсатор.| Диффузионный резистор. [15]

Страницы: 1 2