Cтраница 2
Таким образом, радиоактивные изотопы при выщелачивании попадают в капилляры и нарушения решетки засчет: а) отдачи ядер радиоактивного изотопа при его образовании; б) разрушения поверхностной зоны кристаллов; в) диффузии радиоактивных изотопов по кристаллической решетке. [16]
Механизм действия добавляемых веществ заключается в том, что они вызывают глубокое нарушение решеток обоих компонентов доломита, вследствие чего расходуется значительно меньше тепла для распада карбонатов магния и кальция доломита. [17]
Микропластические деформации, вызванные циклическими нагружениями, обычно возникают в местах нарушений решетки - всевозможных дефектов и ультрамикротрещин, рассеянных в огромном количестве внутри и с поверхности поликристаллического тела, однако предпочтительно на его поверхности. [18]
Кристаллическая структура глинистых минералов, ее несовершенства, виды и число нарушений решетки, дисперсность и форма первичных частиц и их агрегатов, состояние и свойства поверхности, наконец, энергетика частицы - величина свободной поверхностной энергии - определяют характер образования коагуляционных структур их водных дисперсий. [19]
Особого рассмотрения требует явление сверхпроводимости, при к-ром наблюдается устойчивое к нарушениям решетки квантовое макроскопич. Одной из причин такой зависимости является увеличение амплитуды тепловых колебаний ионов с ростом темп-ры Т и усилением столкновений электронов с ними. [20]
Понижение температуры размягчения кварцевого стекла при добавлении к нему соды вызывается нарушениями кремние-кисло-родной решетки вследствие роста числа атомов кислорода, связанных лишь с одним атомом кремния. Вследствие разрушения все большего количества этих связей структура становится менее жестко связанной в трех измерениях. Благодаря отсутствию структурных повторений в стекле в нем нет и пары точно одинаковых точек. В ем имеются точки с широко меняющейся степенью ослабления, в которых при непрерывном изменении температуры может иметь место текучесть или разрушение. [21]
Поскольку при облучении Ge быстрыми электронами и у-квантами больших энергий, как и в случае термозакалки, первичными нарушениями решетки являются дефекты Френкеля, то, несмотря на отмеченную в [465] неидентичность дефектов, возникающих при у-облучении и вводимых посредством закалки, можно было ожидать определенной аналогии в их свойствах, особенно при проведении опытов с чистыми кристаллами. [22]
Остается неясным, следует ли приписать существование длинноволновой части собственной полосы поглощения чистому бромистому серебру или неизвестным и неизбежным примесям и нарушениям решетки. [23]
При сильном легировании п - или p - кремния скорость травления должна увеличиваться за счет повышения концентрации активных центров, связанных с нарушениями решетки при легировании. [24]
Фрост и Шапиро [37], изучая зависимость активности катализаторов от предварительной обработки, пришли к заключению, что каталитическая активность связана с нарушением решетки катализатора и проявляется главным образом в тех местах, где была разрушена правильная кристаллическая структура. [25]
Ввиду небольших различий в размерах элементарных ячеек Fe3C4, Т - РегОз и y - FeO можно предположить, что в шпинельных структурах возможны нарушения решетки того же типа, что и обнаруженные Нейлом в ромбоэдрической решетке; таким образом, наряду с нормальной решеткой имеются области с измененным числом ионов железа на элементарную ячейку. [26]
Вокруг каждой точки решетки существует некоторая область, влияющая на интенсивность дифракции; размеры этой области зависят от размеров и формы кристалла и от вида и степени нарушения решетки в кристалле. [27]
В последнем случае обычно обращаются к объяснению ускорения процессов в присутствии добавки ее каталитическим действием или образованием твердых растворов реагент - добавка, или же глубоким ( коренным) нарушением решеток реагирующих компонентов. [28]
Электрон, попавший в зону проводимости, теряет связь с тем дефектом, которому он принадлежал ранее, и перемещается по кристаллу до тех пор, пока не встретит какое-либо новое нарушение решетки, например другой образованный активатором дефект, тоже потерявший свой электрон - ионизовавшийся. Рекомбинируя ( воссоединяясь) с таким ионизованным дефектом, электрон отдает избыток энергии в виде фотона - возникает люминесценция, которая в этом случае носит название рекомбинационной люминесценции. Ее особенностью является ионизация центров свечения при возбуждении. В случае, представленном на рис. 5, это приводит к созданию в зоне проводимости концентрации электронов, превышающей равновесную, что можно обнаружить по увеличению электропроводности. Таким образом, находит объяснение тот факт, что возникновение люминесценции часто сопровождается фотопроводимостью. [29]
Поэтому при относительно высоких концентрациях дефектов ( 0Ш0 01) неточными становятся не термодинамические соотношения, полученные квазихимическим методом, а статистические выражения для числа перестановок, составленные без учета эффекта сближения нарушений решетки. [30]