Нарушение - решетка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если тебе трудно грызть гранит науки - попробуй пососать. Законы Мерфи (еще...)

Нарушение - решетка

Cтраница 4


Авторы высказали предположение, что причиной наблюдавшегося эффекта является восстановление окислов в ударной волне и вызванное этим образование кислородных вакансий. Наряду с этим известное значение могут иметь и механические нарушения решетки. Эти результаты, несомненно, заслуживают пристального внимания.  [46]

47 Зависимость [ IMAGE ] Зависимость интегральной теплоты дифференциальной теп-адсорбции от количест - лоты адсорбции от нова адсорбированного личества адсорбирован-вещества кого вещества. [47]

Первая причина катионного обмена глинистых минералов - нарушение связей их краев, повышающее некомпенсированные заряды, которые уравновешиваются адсорбированными катионами. По мере диспергирования с уменьшением размера глинистых частиц растет нарушение решетки, повышается неком-пенсированность и увеличивается емкость обмена. В минералах каолинитового типа емкость ионного обмена увеличивается за счет нарушения связей.  [48]

Роль атомов активатора как специальных излучателей в кристаллолюминофорах не подлежит сомнению. Предположение, что акт поглощения приурочен только к местам нарушения решетки, где преимущественно сосредоточены атомы активатора, не выдерживает критики. Возбуждение люминофора электронным лучом, а-частицей или коротким ультрафиолетом вызывает в толще кристалла каскады вторичных электронов, которые движутся во всех направлениях по решетке и передают ей свою кинетическую энергию. Местом поглощения энергии может служить любой элемент решетки. Только при возбуждении люминесценции светом в длинноволновом хвосте кривой поглощения роль мест нарушения или атомов активатора как специальных поглощающих центров приобретает довлеющий характер. В этом случае ход кривой поглощения должен сильно зависеть от условий приготовления люминофора. Особенно большое влияние оказывает термическая обработка. Температура и время прокалки, скорость охлаждения, природа и количество плавня регулируют в основном степень нарушенности решетки и характер распределения в ней активатора. С другой стороны, хорошо известны факты, когда измельчение люминофора до полной утраты им люминесцентной способности практически не меняет хода кривой поглощения. Экспериментальная проверка характера поглощения в каждом люминофоре очень сложна, и опытные данные пока недостаточны для уверенных выводов.  [49]

50 Спектральная зависимость фотопроводимости в комплексе пирена с тетрацианэтиленом. [50]

Характерно наличие двух спектральных областей фотопроводимости. Как показали авторы, длинноволновый пик фотопроводимости обусловлен примесями, нарушениями решетки и не наблюдается у совершенных монокристаллов. Коротковолновая проводимость возникает при облучении образца светом более энергичными квантами, чем те, которые соответствуют первой полосе поглощения с переносом заряда.  [51]

Когда кристаллы получаются другими методами, при которых почти не имеют места температурные градиенты, и при этом оказывается, что содержание дислокаций превышает небольшой необходимый минимум, следует искать других объяснений. Автор полагает, что в этих целях можно привлечь данные о нарушениях решетки, вызванных негомогенным распределением примеси, прогрессивно увеличивающимся в процессе роста, однако ни теория, ни данные наблюдений не дают достаточных оснований для обсуждения, которое в этих условиях может вылиться лишь в чрезмерно ДЛИННУЮ ДИСКУССИЮ.  [52]

Вследствие большого размера молекул такого десенсибили-затора он может адсорбироваться только на поверхности микрокристаллов и, вероятно, на поверхности достаточно крупных внутренних трещин. Возможность вхождения молекул десенсибилизатора в собственно кристаллическую решетку бромида серебра или во внутренние нарушения решетки, близкие к молекулярным размерам, исключена.  [53]

Эти активные центры имеют ту же природу, что и активные центры, изменяющие притяжение ионов или диполей. Активностью обладают ребра и углы кристаллов, некоторые грани кристаллов, места нарушения решетки в поверхностном слое и особенно участки обрыва роста отдельных кристаллических граней.  [54]



Страницы:      1    2    3    4