Нарушение - стехиометрия
Cтраница 2
Гетеровалентные изоморфные замещения являются причиной нарушения стехиометрии окислов 3: 1 и 2: 1 в алите и белите и избыточного количества СаО в них за счет выполнения дополнительными ионами кальция роли компенсатора валентности. [16]
Эти различии могут быть обусловлены нарушением стехиометрии, наличием полптппнама, а также разного рода дефектов в реальных кристаллах. [17]
Тип проводимости соединений АзВу зависит от нарушения стехиометрии. Избыток щелочного металла против стехиометрии всегда создает донорные уровни, а избыток элементов V группы - акцепторы. Во всех исследованных соединениях А ВУ соотношение компонентов отличается от стехиометрического, что соответствует максимуму эми-сионной способности. Это имеет важное значение для получения стабильных фотоэмиттеров с высокой эффективностью. [18]
 |
Кристалл с дефектами по Френкелю ( а и Шоттки ( ( Г. [19] |
Образование этих дефектов не связано с нарушением стехиометрии кристалла. [20]
Температура синтеза при этом значительно снижается, нарушения стехиометрии не происходит. Изделия изготовить можно методами прессования, литья под давлением и др. Обжиг изделий производят при 1600 - 1800 С. В защитной среде содержатся пары аналогичного соединения. Помимо применения Na - p - глинозема в качестве твердого электролита его применяют для изготовления плавленого огнеупора ( в сочетании с корундом), предназначенного для футеровки стекловаренных печей. Он повышает стойкость огнеупора к действию щелочей и некоторых расплавов. [21]
Образование дефектов не всегда может приводить к нарушению стехиометрии. На рис. 129, д приведен пример так называемого антиструктурного разупорядоче-ния, при котором атомы А и В попадают в узлы чужой подрешетки. Это возможно в том случае, если компоненты соединения близки между собой по метал-лохимическим свойствам. Кристаллы с антиструктурными дефектами представляют собой твердые растворы взаимозамещения. Комбинации простых дефектов могут привести к взаимной компенсации, в результате чего нарушений стехиометрии может и не быть. Так, смещение атома из его равновесного положения в междоузлие ( рис. 129, е) приводит к появлению комбинированного дефекта вакансия - атом в междоузлии. Такая комбинация называется дефектом Френкеля. Очевидно, что при этом изменение состава не наблюдается. В принципе такая же ситуация возможна и при возникновении равного количества вакансий в обеих подрешетках бинарного соединения. Однако в реальном случае одинаковые концентрации вакансий в обеих подрешетках невозможны, поскольку компоненты различаются по свойствам. В этом случае валовое отклонение от стехиометрии определяется разностью концентраций вакансий в двух подрешетках и определяемая экспериментально область гомогенности будет меньше той, которая следует из действительной концентрации вакансий. [22]
Образование дефектов не всегда может приводить к нарушению стехиометрии. На рис. 129, д приведен пример так называемого антиструктурного разупорядоче-ния, при котором атомы А и В попадают в узлы чужой подрешетки. Это возможно в том случае, если компоненты соединения близки между собой по метал-лохимическим свойствам. Кристаллы с антиструктурными дефектами представляют собой твердые растворы взаимозамещения. Комбинации простых дефектов могут привести к взаимной компенсации, в результате чего нарушений стехиометрии может и не быть. Так, смещение атома из его равновесного положения в междоузлие ( рис. 129, е) приводит к появлению комбинированного дефекта вакансия - атомов междоузлии. Такая комбинация называется дефектом Френкеля. Очевидно, что-при этом изменение состава не наблюдается. В принципе такая же ситуация возможна и при возникновении равного количества вакансий в обеих подрешетках бинарного соединения. Однако в реальном случае одинаковые концентрации вакансий в обеих подрешетках невозможны, поскольку компоненты различаются по свойствам. В этом случае валовое отклонение от стехиометрии определяется разностью концентраций вакансий в двух подрешетках и определяемая экспериментально область гомогенности будет меньше той, которая следует из действительной концентрации вакансий. [23]
Столь протяженные хвосты скорее всего связаны с нарушением стехиометрии пленки диоксида кремния по кислороду, которое сильнее всего проявляется в случае недоокисленной реальной поверхности. Исследуя потенциальные барьеры И - 2 в структурах с тонким оксидом ( МНОП-структуры с тонким подслоем Si02), авторы [57] отмечают существенное уменьшение W2 при толщине d 3 1 нм. Последнее согласуется со спектроскопическим данными, рассмотренными в гл. [25]
Так, эмиссионные св-ва оксидных катодов формируют - нарушением стехиометрии оксидов в сторону избытка металла, фоточувствит. [26]
Центры окраски в кристаллах возникают не только при нарушении стехиометрии катионов и анионов, но и на другой основе. Так, центры окраски могут возникнуть в результате облучения кристалла рентгеновскими лучами или ускоренными ядерными частицами. Если в кристалл вводится один из компонентов сверх стехиометрического состава, то он окрашивается равномерно. В противоположность этому при рентгеновском облучении кристаллы не окрашиваются по всему объему, а только с поверхности на большую или меньшую глубину. Это зависит от того, что рентгеновское излучение поглощается главным образом поверхностными и околоповерхностными слоями кристалла. При облучении кристаллов - лучами большой энергии поглощение идет на большую глубину и окрашивается весь кристалл. [27]
В отличие от, элементарных полупроводников выращивание полупроводниковых соединений осложняется нарушением стехиометрии и однородности в пленках. [28]
 |
Зависимость термоэлек. [29] |
По аналогии с кристаллическими полупроводниками, относительно которых известно, что нарушение стехиометрии даже в незначительной степени существенно изменяет их электрические свойства, на... Это изучение, проведенное на стеклах TISe As2Se3 и As2Se3 As2Te3, показало, во-первых, что стеклообразное состояние сохраняется при изменении содержания отдельных компонентов, достигающем 30 - 70 ат. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5