Нарушение - стехиометрия
Cтраница 3
Для оксидов металлов с преимущественной ионной связью ( координационные решетки) нарушение стехиометрии термодинамически обосновано, так как при этом растет энтропия системы. [31]
Пусть из кристалла CdTe уходит в газовую фазу нейтральный атом теллура ( нарушение стехиометрии), захватив с собой шесть из восьми электронов. [32]
Полученный таким способом образец содержит некоторое количество хемосорбированной серы, возможно также нарушение стехиометрии в поверхностном слое катализатора. [33]
Выращивание оптически однородных кристаллов НБС встречает значительные технологические трудности, связанные с нарушением стехиометрии и существованием высокотемпературного фазового перехода моноклинная - тетрагональная симметрия кристаллической решетки. Нарушение стехиометрии и возможное образование второй фазы могут приводить к возникновению оптических не-однородностей в кристалле. На оптическую однородность может оказывать влияние также доменная структура, если кристалл не полностью монодоменный. Были предприняты попытки избежать влияния перечисленных факторов путем введения небольших добавок окислов редкоземельных элементов, а также окиси свинца. Как отмечают авторы [16], добавки - 2 вес. Кюри, а также улучшают условия роста кристаллов. [34]
Поэтому наличие гипоиодита в слабощелочном растворе иода ( см. выше) приводит к нарушению стехиометрии реакции между иодом и тиосульфатом, вызывая пониженный расход тиосульфата или повышенный расход иода. [35]
Сульфид свинца может проявлять свойства как я-полупроводника, так и р-полупроводника в зависимости от характера нарушения стехиометрии. Сульфид, содержащий избыток свинца, действует как электронный проводник. Такой тип амфотерной электропроводности доказан также и у оксидов щелочноземельных металлов. [36]
Интересно, что этот прием не только не избавил кристалл от включений, но привел к нарушению стехиометрии расплава во внутреннем ( открытом) тигле и, как следствие, к со-кристаллизации большого количества минеральных примесей. По мнению исследователей, стенки молибденового тигля достаточно проницаемы при высоких температурах как для фторидов, так и для аргона и водорода. Обратив внимание на то, что вблизи стенок молибденового тигля почти не образуется включений, авторы работы [35] предполагали в последующем проводить кристаллизацию слюды в плоском ( 4 - 5 мм) тигле, считая, что это позволит избавиться от включений за счет отторжения их фронтом кристаллизации по стенкам тигля, однако в последующем к этой методике больше не возвращались. [37]
В качестве посторонних фаз в кристаллах ИАГ наблюдаются включения а-корунда или алюмината иттрия, связанные с нарушениями стехиометрии расплава. Расплав всегда содержит незначительный избыток одного из компонентов. Кроме того, в условиях вакуума с зеркала расплава всегда происходит активное испарение составляющих компонентов. Вследствие различия упругости паров Y2O3 и А12О3 испарение последнего более интенсивно, и в расплаве образуется дефицит по алюминию. Этому же способствует и термическая диссоциация А12О3 при высоких температурах. [38]
В качестве посторонних фаз в кристаллах ИАГ наблюдаются включения а-корунда или алюмината иттрия, связанные с нарушениями стехиометрии расплава. Расплав всегда содержит незначительный избыток одного из компонентов. Кроме того, в условиях вакуума с зеркала расплава всегда происходит активное испарение составляющих компонентов. Вследствие различия упругости паров Y2O3 и А12Оз испарение последнего более интенсивно, и в расплаве образуется дефицит по алюминию. Этому же способствует и термическая диссоциация АЬОз при высоких температурах. [39]
На границе ДП последняя связана с вариацией углов и длин связей, гидратацией части граничных атомов и нарушением стехиометрии. Все это находит свое отражение в значительных ширинах полос поглощения колебательных ИК-спектров и в характере релаксации заряда, индуцированного в адсорбционных МПС. Анализ кинетических кривых релаксации, измеренных в широком диапазоне времен, указывает на гауссов закон распределения барьеров, отделяющих МПС от полупроводника. По тем же причинам в хемосорбции имеет место распределение по активности центров Льюиса и Бренстеда. [40]
 |
Распределение дислокаций в образце на расстоянии 35 мм от затравки. Отр. 220, ил. ( [ 11. Ун. Х8. [41] |
Конечно, не исключено влияние и вакансионного механизма возникновения дислокаций, так как кристаллы GaP обычно растут с нарушением стехиометрии. Однако существование этого механизма не приводит к заметному увеличению плотности дислокаций, по крайней мере в верхней части слитка. [42]
Впервые в работе Б. Т. Коломийца с сотрудниками [58, 172, 173] было указано, что в стеклообразных полупроводниках изменения электрических свойств становятся заметными при нарушении стехиометрии на 5 - 10 ат. Влияние примесей Ag, Си, РЬ и др. становится заметным при концентрации порядка 10 ат. [43]
 |
Решетки окисных катализаторов га - и р-типа. [44] |
В зависимости от того, что находится в избытке - металл или кислород - будет наблюдаться один из двух основных случаев нарушения стехиометрии ( рис. 1) ( см. в работе Феншема 16 ] стр. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5