Нарушение - кристаллическая структура
Cтраница 4
Сополимеры ВДФ с сомономерами, содержащими громоздкие атомы или группы [ ТФХЭ, ГФП, ПФ ( МВ) Эф ], кристалличны при небольшом содержании сомономера и аморфны, каучукоподобны, при значительном его содержании. Чем больше объем сомономера, тем меньше требуется его для нарушения кристаллической структуры полимера. Разрушение кристаллической решетки наступает при содержании в сополимере ТФХЭ выше 25 % ( мол. [46]
Сополимеры ВДФ с сомономерами, содержащими громоздкие атомы или группы [ ТФХЭ, ГФП, ПФ ( ЛЩ) Эф ], кристалличны при небольшом содержании сомономера и аморфны, каучукоподобны, при значительном его содержании. Чем больше объем сомономера, тем меньше требуется его для нарушения кристаллической структуры полимера. Разрушение кристаллической решетки наступает при содержании в сополимере ТФХЭ выше 25 % ( мол. [47]
Сополимеры ВДФ с сомономерами; содержащими громоздкие атомы или группы ТФХЭ, ГФП, ПФ ( МВ) Эф ], кристалличны при небольшом содержании сомономера и аморфны, каучукоподобны, при значительном его содержании. Чем больше объем сомономера, тем меньше требуется его для нарушения кристаллической структуры полимера. Разрушение кристаллической решетки наступает при содержании в сополимере ТФХЭ выше 25 % ( мол. [48]
 |
Изменение энергии активации в присутствии катализатора. [49] |
Например, торий диффундирует в вольфраме объемно, требуя энергии активации 502 кДж / моль. Если диффузия идет по границам зерен, где имеется много нарушений кристаллической структуры - вакансий и дислокаций, то энергия активации составляет 393 5 кДж / моль. [50]
Дальнейший рост длины цепи сс-олефинов не вызывает значительного уменьшения степени кристалличности и даже приводит к некоторому снижению эффекта нарушения кристаллической структуры. По-видимому, это объясняется тем, что длина и гибкость боковых ответвлении, содержащих 4 - 5 и более атомов углерода, оказывается достаточной для их ориентации вдоль основной цепи. [52]
Следует отметить, что рассмотренное уравнение справедливо в случае, если при взаимодействии твердого с газом продукт реакции определенного химического состава образуется только в конечных стадиях реагирования. Свойства начального и конечного продукта должны быть при этом такими, чтобы существовала возможность непрерывного изменения состава ( в известных пределах) без нарушения кристаллической структуры исходного твердого вещества. При этом невозможно определить четкую границу между начальной и конечной фазами, и реакция может лимитироваться миграцией ионов в кристаллической решетке. [53]
Возможна также сварка термопластов за счет химического взаимодействия свариваемых материалов с веществом, которое вводится в сварной шов и играет в этом случае роль сшивающей добавки. Подобный процесс сварки особенно выгоден при соединении термопластов, нагревание которых до температуры вязко-текучего состояния нежелательно, или из-за нарушения ориентации, или из-за нарушения кристаллической структуры в местах нагрева. [54]
Благодаря тому, что решетка цеолитов образована сложными анионными радикалами из тетраэдров Si04, в которых часть Si4 замещена ионами А13, она всегда обладает остаточными отрицательными зарядами, которые компенсируются катионами, располагающимися во внутренних полостях решетки; этим и обусловлены ионообменные свойства цеолитов. Другой особенностью цеолитов является наличие внутри кристаллов слабо удерживаемых молекул воды, которая в определенных условиях ( нагревание под вакуумом) может быть обратимо удалена без нарушения кристаллической структуры. [55]
Наряду с изложенной существуют другие физические теории процессов деформирования и разрушения. Так, согласно одной из таких теорий зависимость долговечности от величины напряжения объясняется плавлением и вязким течением на границах кристаллов: разрушение металла связано с возникновением в зоне нарушения кристаллической структуры на границах между кристаллами некоторого числа зародышей жидкой фазы. [56]
В работе [525], носящей в большой степени обзорный характер, вопрос о ступенчатой рекомбинации радикалов обсужден наиболее полно. На основании имеющихся в литературе данных и своих результатов по гибели свободных радикалов в облученных органических кристаллах автор пришел к выводу о том, что значительная часть радикалов при действии излучения образуется и стабилизируется вблизи различного рода нарушений кристаллической структуры. Следует отметить, что прямые исследования структуры органических кристаллов и ее связи с кинетикой гибели стабилизирующихся радикалов в литературе до работ [221, 248, 250, 525- 529] практически отсутствовали. Обратимся непосредственно к данным работы [525], которые экспериментально подтверждают высказывавшееся до этого в работах 505, 530 - 533 ] предположение о том, что гибель стабилизированных радикалов связана с различной молекулярной подвижностью в области структурных дефектов кристаллической матрицы. [57]
Страницы: 1 2 3 4