Локальное нарушение

Cтраница 2

Точечный дефект определяется как любое локальное нарушение структуры кристалла в отличие от линейных дефектов, как, например, дислокации. [16]

Эти дислокации образуют области локальных нарушений на поверхности кристалла и внутренние поверхности с относительно высокими концентрациями ионов серебра, занимающими места с низким отрицательным электростатическим потенциалом. Центры светочувствительности - это нелокализованные частицы посторонних сенсибилизирующих веществ, которые, как это ясно показывают экспериментальные данные, не служат ловушками для электронов и поэтому не могут играть главную роль в концентрировании атомов серебра. [17]

В качестве возможного процесса локального нарушения пассивности, в известной мере подобного питтингообразованию, некоторые авторы [61] рассматривают также образование коррозионных трещин на напряженном металле. [18]

Эти колебания возникают вследствие локальных нарушений нейтральности плазмы в результате хаотического движения частиц, причем ввиду того, что массы ионов весьма велики по сравнению с массой электрона, можно в нулевом приближении учитывать только движение электронов. [19]

Существование дефектов приводит к локальным нарушениям энергетической однородности кристалла. При значительной концентрации дефектов области искажения могут частично перекрываться. [20]

Зависимость времени появления первых следов травления от концентрации NaaSa03 AgBr-микрокристаллы. [21]

Поскольку фотографическая чувствительность определяется локальными нарушениями, то необходимо иметь в виду, что оба их типа создаются в эмульсионных зернах в обеих стадиях созревания. [22]

Для полимерных пен дестабилизирующий эффект локальных нарушений температуры ъ объеме вспениваемой композиции может вызываться не только физическими, но и химическими причинами - за счет экзо - и эндотермических реакций между компонентами жидкой фазы, особенно для заливочных композиций на основе фенольных, эпоксидных, полиуретановых и других оли-гомеров. [23]

Формы кривых зависимости роста пленок на металле по различным уравнениям ( Эванс. [24]

Эрозионное разрушение начинается обычно с локальных нарушений поверхности окисных слоев и развивается весьма интенсивно, захватывая все большие участки поверхности. Скорость эрозионных разрушений зависит от угла атаки или направления скорости потока к поверхности металла, что следует учитывать при конструировании машин. [25]

Следует также подчеркнуть, что даже локальные нарушения с малой амплитудой могут играть экранирующую роль. Так, на месторождении Южный Мубарек к середине 1969 г. снижение давлений в газовой залежи составило 2 3 МПа, а в скважине 9 пластовое давление практически не изменилось. [26]

Спектрограмма желтой водородоподобной серии линий поглощения экситопа в Сн2О при 4 2 К. Сверху указан номер членов серии, частоты к-рых удовлетворяют водородоподобной сериальной формуле. [27]

Переходы между электронными уровнями различного рода локальных нарушений в решетке создают полосы поглощения в области прозрачности основного кристалла, а также полосы в спектре люминесценции. Отдельный электронный переход в локальном центре обычно сопровождается колебат. В зависимости от величины взаимодействия переход может образовывать в спектре широкие ( - () ] - 1 j) колоколообразные полосы поглощения и излучения с большим стоксовым смещением между ними либо давать электропно-колебат. [28]

Перечисленные структурные дефекты могут приводить к локальному нарушению зарядовой электронейтральности в ферритах и, таким образом, являются причиной электронного раз-упорядочения. Например, вакансия отрицательного иона ( аниона) означает недостаток отрицательного заряда и является ловушкой для электронов. Для восстановления электронейтральности такая вакансия будет захватывать электрон, вследствие чего образуется электронный центр, называемый F-центром. [29]

Результаты исследования механической устойчивости покрытий при локальном нарушении адгезии представлены в таблице. [30]

Страницы: 1 2 3 4