Локальное нарушение

Cтраница 4

Схематическая диаграмма деформирования. АВ - участок ползучести. CD - участок обратной ползучести. [46]

Пластическое деформирование в микроскопических объемах связано с перемещениями дислокаций - некоторых локальных нарушений закономерного периодического расположения атомов в узлах кристаллической решетки отдельных зерен. [47]

Существует много фактов, указывающих, что фотографическая чувствительность связана с локальными нарушениями в эмульсионных микрокристаллах и притом не только с собственными несовершенствами кристаллической решетки, но также с инородными примесями. В настоящем разделе сопоставлены сведения о физико-химической сущности химической сенсибилизации на основании экспериментальных данных, полученных при изучении разнообразных факторов, влияющих на свойства фотографических эмульсий. [48]

Второй раздел включает механизм фотографической чувствительности; сюда относятся следующие проблемы: локальные нарушения в эмульсионных микрокристаллах, их природа и свойства, а также распределение на поверхности и в объеме микрокристаллов; образование и эволюция примесных центров; люминесцентные свойства эмульсионных микрокристаллов; фотолиз и формирование скрытого изображения; природа спектральной светочувствительности и механизм проявления скрытого изображения. [49]

В некоторых случаях частицы примеси, наоборот, захватываются кристаллом, создавая локальные нарушения решетки и изменяя скорость роста кристаллических граней. Отмечается [132], что при добавлении к расплаву аспирина мельчайших частичек активированного угля или ликоподия на кристаллах наблюдается появление спиральных образований; скорость роста таких кристаллов сильно увеличивается. [50]

Электронное изображение краевой дислокаций в кристалле фталоцианина платины.| Картина муара в электронном микро - 0 0 0. [51]

Вторая, более многочисленная группа методов основана на том, что-дислокация создает локальное нарушение идеальной решетки и повышает энергию кристалла как в ядре дислокации, так и в цилиндрической области, окружающей дислокацию, в которой искажения и упругие напряжения, вызванные дислокацией, распространяются на расстояния порядка микрона и более от оси дислокации. [52]

Анализ отказов таких сооружений показывает, что одной из основных причин является локальное нарушение сплошности изоляционного покрытия и его отслоения, приводящее к контакту металла с подземным электролитом, и соответственно, последующему его коррозионному разрушению. [53]

В настоящее время из числа таких методов прошли промышленные испытания методы прогноза локальных нарушений: гамма-гамма-метод и электрометрический. [54]

Необходимо отметить, что с помощью геофизической аппаратуры практически невозможно зафиксировать наличие локальных нарушений ствола скважины, которые способствуют возникновению дополнительных сопротивлений движению обсадной колонны. Обычно для оценки возможности спуска в скважину обсадной колонны предварительно спускают элемент обсадной колонны с соответствующей проходимостью. [55]

Страницы: 1 2 3 4