Радиационное нарушение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если из года в год тебе говорят, что ты изменился к лучшему, поневоле задумаешься - а кем же ты был изначально. Законы Мерфи (еще...)

Радиационное нарушение

Cтраница 1


Радиационные нарушения трудно проанализировать без точного знания воздействия излучения на основные элементы электронных систем. Поскольку основная функция сопротивлений сводится к регулированию условий работы и контроля, то любые изменения, вызванные излучением, могут привести к массовому взаимодействию элементов. Для создания схем, способных устойчиво работать в интенсивных радиационных полях, необходим тщательный отбор сопротивлений, стойких к радиационным нарушениям.  [1]

Радиационные нарушения в мишени создаются главным обр азом при условии, когда Sn Se. Таким образом, при внедрении ионов малых энергий радиационные дефекты образуются вдоль всей траектории, а при высокой энергии ионов - только в конце трека.  [2]

Радиационные нарушения, вызываемые в твердом теле, служат просто для того, чтобы создать новый катализатор, свойства которого определяются природой и стационарной концентрацией дефектов с неустановившимся характером.  [3]

Радиационные нарушения, возникающие при взаимодействии излучения с твердым телом, вызывают изменение его свойств. Степень радиационного нарушения при этом может быть оценена по изменению определенного свойства, однако такая характеристика может быть неполноценной, поскольку за изменение того или иного свойства твердого тела зачастую ответственны лишь определенного вида дефекты.  [4]

Отжиг радиационных нарушений в GaAs и в большинстве других соединений АП1ВУ происходит в интервале температур 500 - 700 С в зависимости от дозы облучения. Электрическая активация примесей идет только после отжига при температуре, превышающей 500 С. Это объясняется распадом радиационных кластеров на точечные дефекты, играющие роль компенсирующей примеси в полупроводниках АШВУ.  [5]

Изучение радиационных нарушений в вакуумных лампах показало, что воздействие излучения проявляется тремя способами.  [6]

7 Изменение сопротивления пленочных резисторов в зависимости от их конструкции при облучении потоком быстрых нейтронов, равным 2 - Ю17 нейтронов / см2. [7]

Степень радиационных нарушений в пленочных углеродистых резисторах зависит от вида защитного покрытия.  [8]

9 Смещения, вызванные различными излучениями. [9]

При анализе радиационных нарушений в твердых телах целесообразно все объекты разделить на четыре группы: металлы, ионные кристаллы, стекла и органические соединения.  [10]

Данные о радиационных нарушениях в делящихся веществах и конструкционных материалах имеют большое значение при разработке тепловыделяющих элементов. Так, очень сильные повреждения в чистом металлическом уране вынудили заменять его в ядерных реакторах окислами урана, которые более устойчивы к излучениям.  [11]

Таким образом, любые радиационные нарушения уменьшают время жизни неосновных носителей и приводят к заметному ухудшению работы полупроводниковых приборов, требующих относительно большого времени жизни, например транзисторов и мощных выпрямителей. Эффективность центров рекомбинации, возникших при облучении, существенно различается в зависимости от материала полупроводника. Например, дефекты в кремнии, облученном нейтронами, оказываются приблизительно в 10 раз эффективнее, чем дефекты в германии, даже с учетом большей скорости образования дефектов в кремнии.  [12]

В задаче о радиационных нарушениях вначале атомы кристаллита находятся в покое. Затем одному из внутренних атомов задается определенная скорость, чем имитируется его столкновение с частицей излучения. Машина, решая уравнения движения атомов кристаллита, определяет через малые промежутки времени положения и скорости этих атомов, которые, взаимодействуя с первым атомом, приходят в движение. Постепенно процесс затухает и устанавливается конечное состояние системы.  [13]

14 Спектры выделения запасенной энергии в кристаллах CaF2, SrF2 и BaF2, облученных 7 лУчами поглощенной дозой 6 25 107 рад ( массы образцов. CaF2 - 5 136 г, SrF2 - 5 718 г, BaF2 - 7 502 г. [14]

В качестве характеристики степени радиационного нарушения этих кристаллов нами выбрана запасенная энергия.  [15]



Страницы:      1    2    3    4