Радиационное нарушение

Cтраница 3

Приведенное выше рассуждение приводит нас к мысли, что нарушение кристаллической структуры ( например, радиационное нарушение, чрезмерный нагрев, механические напряжения) будет уменьшать время жизни носителей. Экспериментальные наблюдения подтверждают, что это действительно имеет место. [31]

Условиями, определяющими радиационную стойкость материала, являются слабое взаимодействие с излучением и малая стабильность радиационных нарушений. [32]

В книге рассмотрены основные вопросы механизма действия ионизирующей радиации на нуклеиновые кислоты, а также радиационного нарушения информационных функций нуклеиновых кислот. Освещены общие вопросы биохимии и биофизики биологических макромолекул. [33]

Атомы Li имеют очень высокую подвижность, при температурах Т 2СК - 500С дрейфуют в область радиационных нарушений и нейтрализуют электрическую активность радиационных дефектов. С ростом концентрации кислорода его роль в этих процессах возрастает, приводя, с одной стороны, к увеличению времени восстановления до бездефектной структуры, а с другой - к более эффективному залечиванию дефектов и большей стабильности, чем при низких концентрациях. Добавка Li слегка уменьшает исходное значение КПД, но резко увеличивает Фс. До сих пор нет детального объяснения механизма залечивания дефектов в присутствии Li, причем параметры процесса связывают с концентрационными градиентами атомов Li [ Faith, 1972 ] и разностью между концентрацией атомов в объеме материала и концентрацией дефектов. [34]

С, Тертое В. В., Назаров А. Р. и др. Исследование роли окислитель -: ной деградации мембранных липидов в радиационном нарушении функционирования аденилатциклазы и гуанилатциклазы. [35]

Причем распределение этих дефектов имеет два максимума, приблизительно симметрично расположенных относительно Rp [133], т.е. края распределения радиационных нарушений обогащены меж-до узельными комплексами. [36]

График распределения концентрации доноров при бомбардировке кремния ионами натрия. [37]

Такое распределение концентрации доноров может появиться только в том случае, если поверхностный слой n - типа вследствие радиационных нарушений имеет сравнительно малый коэффициент диффузии и распределение концентрации в области нарушений определяется процессами проникновения ионов в решетку кремния. Более глубокие области, имеющие малый градиент концентрации доноров, должны обладать сравнительно большим коэффициентом диффузии. [38]

Зависимость максимального изменения со-противления металлизированных пленочных резисторов от времени - и исходного номинала сопротивления. [39]

Поскольку конструкция пленочных металлизированных резисторов в основном такая же, как и пленочных углеродистых резисторов, то и механизмы радиационных нарушений в них подобны. [40]

Удельное электросопротивление графита до и после облучения нейтронами и после последующего отжига в зависимости от его начального удельного электросопротивления при комнатной температуре.| Коэффициент Холла графита до и после облучения и после последующего отжига в зависимости от его начального удельного электросопротивления при комнатной температуре. [41]

Некоторые из результатов представлены в табл. 4.10 и на рис. 4.48 и 4.49. Эти результаты указывают на те же тенденции радиационных нарушений, которые наблюдались для графитов других типов. Более ориентированный графит больше меняет свои свойства. [42]

Эффективность излучения из р-га-переходов. [43]

Процесс ионного легирования осложняется испарением легколетучих соединений типа AUBV1 в момент бомбардировки ионами, а также тем, что при отжиге радиационных нарушений, возникающих в момент бомбардировки, происходит электрическая самокомпенсация внедренных примесей. [44]

Влияние излучения на чувствительность фотоумножителей. [45]

Страницы: 1 2 3 4