Насыщение - ток - сток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если третье лезвие бреет еще чище, то зачем нужны первые два? Законы Мерфи (еще...)

Насыщение - ток - сток

Cтраница 1


Насыщение тока стока объясняется следующим. Кр const и п const перестает зависеть от напряжения.  [1]

При одновременном приложении напряжений затвора и стока насыщение тока стока наступает при различных напряжениях на стоке: чем больше запирающее напряжение, теы меньше напряжение на стоке, соответствующее насыщению тока / с. Па семействе полных выходных характеристик, показанных на рис. 2.23, д, можно выделить три области: линейную ( крутую), насыщения ( пи тую) и пробоя, в которой ток / с резко возрастает при небольших увеличениях напряжения U си.  [2]

В результате отсечки канала и образования горловин ы происходит насыщение тока стока подобно тому, как в МДП-транзисторах.  [3]

Что касается других важных параметров полевого транзистора, используемого в качестве стабилизирующего элемента - тока стабилизации и напряжения, начиная с которого наблюдается насыщение тока стока - то их величины равны максимальному току стока / Макс и напряжению отсечки if / от полевого транзистора соответственна и могут быть рассчитаны аналитически.  [4]

5 Увеличение толщины управляющих p - n - переходов со стороны стока и соответствующее увеличение длины перекрытой части проводящего канала при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе относительно истока. / - напряжение на стоке равно напряжению насыщения t / си нас.. 3. [5]

При напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения, ток стока называют начальным током стока / снач - Часть характеристики, соответствующую насыщению тока стока, называют пологой частью. Следует учитывать условность понятия перекрытие канала при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе относительно истока, так как перекрытие канала при указанных условиях является следствием увеличения тока стока. Таким образом, можно считать, что в результате увеличения тока стока или напряжения на стоке автоматически устанавливается некоторое малое сечение канала со стороны стокового электрода.  [6]

7 Увеличение толщины управляющих р-я-переходов со стороны стока и соответствующее увеличение длины перекрытой части проводящего канала при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе относительно истока. / - напряжение на стоке равно напряжению насыщения ( Л. и ас. [7]

При напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения, ток стока называют начальным током стока / с ач - Часть характеристики, соответствующую насыщению тока стока, называют пологой частью. Следует учитывать условность понятия перекрытие канала при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе относительно истока, так как перекрытие канала при указанных условиях является следствием увеличения тока стока. Таким образом, можно считать, что в результате увеличения гока стока или напряжения на стоке автоматически устанавливается некоторое малое сечение канала со стороны стокового электрода.  [8]

9 Выходные статические характеристики ( и и статические характеристики передачи ( б полевого транзистора с управляющим р-п - т.| Увеличение толщины управляющего - - перехода со стороны стока и соответствующее увеличение длины перекрытой части канала при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе относительно истока. [9]

При напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения, ток стока называют начальным током сто-к а с. Часть характеристики, соответствующую насыщению тока стока, называют пологой частью. Следует учитывать условность понятия перекрытие канала при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе относительно истока, так как перекрытие канала при указанных условиях является следствием увеличения тока стока. Таким образом, можно считать, что в результате увеличения тока стока или напряжения на стоке автоматически устанавливается некоторое малое сечение канала со стороны стокового электрода.  [10]

Характеристики передачи полевого транзистора в соответствии с (6.1) представляют собой зависимости тока стока от напряжения на затворе при различных постоянных напряжениях на стоке. Так как основным рабочим режимом полевых транзисторов является режим насыщения тока стока, что соответствует пологим частям выходных статических характеристик, то наибольший интерес представляет зависимость тока насыщения от напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке. Характер этой зависимости ясен из принципа действия полевого транзистора с управляющим p - n - переходом.  [11]

Статические характеристики передачи полевого транзистора в соответствии с (6.1) представляют собой зависимости тока стока от напряжения на затворе при различных постоянных напряжениях на стоке. Так как основным рабочим режимом полевых транзисторов является режим насыщения тока стока, что соответствует пологим частям выходных статических характеристик, то наибольший интерес представляет зависимость тока насыщения от напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке. Характер этой зависимости ясен из принципа действия полевого транзистора с управляющим р-га-переходом.  [12]

Статические характеристики передачи полевого транзистора в соответствии с (6.1) представляют собой зависимости тока стока от напряжения на затворе при различных постоянных напряжениях на стоке. Так как основным рабочим режимом полевых транзисторов является режим насыщения тока стока, что соответствует пологим частям выходных статических характеристик, то наибольший интерес представляет зависимость токэ насыщения от напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке. Характер этой зависимости ясен из принципа действия полевого транзистора с управляющим р-я-переходом.  [13]

В отличие от этого ток стока полевых транзисторов с р-п - переходом или полевых транзисторов с изолированным затвором, работающих в режиме обеднения, существует при нулевом смещении на затворе. Поскольку выходная характеристика этих транзисторов / с / ( с) имеет участок насыщения тока стока, появляется возможность использовать эти приборы для стабилизации тока. При этом не требуется дополнительных стабилизированных источников питания, так как затвор полевого транзистора соединяется с истоком ( рис. 3), и, таким образом, стабилизация тока осущест-вляется одним полупроводниковым элементом.  [14]

15 Вольт-амперные характеристики МДП полевого транзистора с встроенным каналом. [15]



Страницы:      1    2