Насыщение - ток - сток
Cтраница 2
Важными параметрами полевых транзисторов с встроенным каналом являются: / с. Haco-напряжение между стоком и истоком при нулевом смещении на затворе, при котором наступает насыщение тока стока; У.с. откр-статическое сопротивление между стоком и истоком, измеренное при малом напряжении между стоком и истоком и нулевом смещении; U0 - пороговое напряжение затвора; / с. [16]
При перемещении точки А вниз по нагрузочной прямой MN под воздействием дестабилизирующих факторов или других причин амплитуда отрицательной полуволны выходного напряжения будет уменьшаться и может произойти отсечка тока стока. В свою очередь, перемещение точки А вверх по нагрузочной прямой MN может привести к насыщению тока стока. В обоих случаях перемещение точки А по нагрузочной прямой MN может сопровождаться нелинейными искажениями. [17]
Потенциал в точке х / сохраняет значение UCH, которое было в начале насыщения. После отсечки канала ток стока практически перестает зависеть от потенциала стока. Эта область на выходных В АХ называется областью насыщения тока стока. [18]
 |
Принципиальная схема транзисторного каскада с трансформаторной связью. [19] |
Каскады, усиливающие малые сигналы ( до 10 мВ с биполярными транзисторами и до десятых долей вольта с нолевыми транзисторами), не вносят заметных нелинейных искажений, и при выборе рабочей точки принимаются во внимание соображения, касающиеся только усиления и расходуемой мощности источников питания. Аналогичные значения тока стока / с и напряжения на стоке Uc характерны для рабочей точки полевых транзисторов. Однако во избежание резкого ухудшения усилительных параметров напряжение Uc следует брать выше точки насыщения тока стока. [20]
Увеличение напряжения стока вызывает рост тока и омического падения напряжения вдоль канала. Последнее добавляется к смещающему напряжению затвор - канал, что приводит к дополнительному расширению обедненной области и перекрытию канала. При напряжениях стока, превышающих напряжение отсечки, образуется уже знакомая нам область объемного заряда и происходит насыщение тока стока. Этот режим называется режимом перекрытия полевого транзистора. [21]
Страницы: 1 2