Нахождение - электрон
Cтраница 2
Вероятность нахождения электронов вблизи ядра для всех типов орбиталей равна нулю. [16]
Вероятность нахождения электрона в какой-либо точке может быть большой или малой величиной или даже равной нулю, но, очевидно, не может быть мнимой. [17]
 |
Форма электронных облаков. [18] |
Вероятность нахождения электрона далеко от ядра очень мала, хотя и существует. [19]
Вероятность нахождения электрона в данном элементарном о еме выражается через я ]) 2, являющийся действительным положите ным числом. [20]
Вероятность нахождения электрона в данном элементарном объеме выражается через тр2, являющейся действительным положительным числом. [21]
Вероятность нахождения электрона в различных местах электронного облака не одинакова, поэтому о тех местах, в которых нахождение электрона наиболее вероятно, говорят как о местах наибольшей плотности электроннаго облака. При увеличении этого расстояния плотность электронного облака постепенно падает. [22]
Вероятность нахождения электрона в определенном месте простран ства вокруг атомного ядра. Обозначается радиальной вероятностной плотностью. [23]
 |
Радиальные составляющие собственных функций атома водорода. [24] |
Вероятность нахождения электрона в различных точках объема атома, как указывалось выше, пропорциональна квадрату волновой функции и, следовательно, квадрату радиальной составляющей этой функции. [25]
Время нахождения электрона в виртуальном состоянии ничтожно, поэтому для всего перехода в целом имеет место сохранение энергии. [26]
 |
Схемы рекомбинации свечений. 1 - е длительным свечением. II-с коротким свечением. III-при облучении квантами с малой энергией. IV-при отсутствии активатора. [27] |
Длительность нахождения электронов в потенциальной яме, а следовательно, и длительность послесвечения определяется глубиной потенциальной ямы. С ее уменьшением уменьшается и длительность послесвечения. [28]
 |
Схематическое изображение туннельного эффекта для случаев. [29] |
Вероятность нахождения электрона на этой границе равна нулю. Однако для барьеров очень малой толщины ( 50 А) волновая функция на противоположной границе отлична от нуля. Такой процесс прохождения электрона из одного электрода в другой называется туннелированием сквозь барьер. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5