Несовершенство - поверхность
Cтраница 2
 |
Рост грани кристалла, содержащей выход винтовой дислокации ( а и развитие спирали при росте ( о. [16] |
Помимо рассмотренной модели роста реального кристалла могут существовать и другие подходы, учитывающие реализующиеся на практике виды несовершенств поверхности растущего кристалла. [17]
 |
Влияние шероховатости длину пути тока. [18] |
Небольшая глубина поверхностного слоя приводит к тому, что омические потери в линиях сверхвысоких частот очень зависят от малейших несовершенств поверхности. Так, из рис. 2.5 видно, что если неровности поверхности велики по сравнению с глубиной поверхностного слоя, то высокочастотные токи будут проходить большие пути. [19]
Что касается случаев резких расхождений удельной поверхности, измеренной двумя этими методами, то они, невидимому, определенно сьязаны со значительным несовершенством поверхности и объясняются различием величин фактической поверхности частиц и геометрической поверхности шара равного диаметра. Активация ламповой сажи воздухом при 425 привела к увеличению ее удельной поверхности в 8 раз, величина же частиц сажи осталась практически неизмененной. [20]
Авторы [39] пришли также к выводу о том, что усталостная прочность волокнистых композитов относительно нечувствительна к поверхностным дефектам, что находится в разительном контрасте с чувствительностью усталости металлов к несовершенствам поверхности. [21]
Так, например, для эталона с nL 0 см, Dl8 мм при длине волны 5000 А и при коэффициенте отражения, большем 97 6 %, спектральное разрешение определяется главным образом дифракцией. Если учесть влияние несовершенств поверхностей пластин и дифракции, то становится очевидным, что получить бесконечное спектральное разрешение эталона Фабри - Перо невозможно, просто увеличивая отражательную способность пластин. Следовательно, необходимо с большой осторожностью относиться к данным, полученным с помощью эталона Фабри - Перо. [22]
Что же касается структурной перекристаллизации, то она связана с несовершенством поверхности частиц твердой фазы, наличием на ней различного рода дефектов. Структурная перекристаллизация приводит к перераспределению вещества по массе отдельных кристаллов. Этот тип перекристаллизации обусловлен стремлением частиц перейти в энергетически более выгодное состояние. [23]
 |
Энергетическая схема полупроводника с поверхностными уровнями ( а. [24] |
По таким же соображениям следовало бы ожидать, что поверхностные уровни сообщат металлические свойства поверхностному слою. Но пока не существует опытного подтверждения этого ожидания, возможно благодаря всякого рода несовершенствам поверхности, адсорбированным ионам и газам, нарушающим точный резонанс между уровнями отдельных поверхностных атомов и свободный их обмен электронами. [25]
Исследование процессов зарождения проводится в зависимости от температуры подложки, а для этого сколотая поверхность подвергается предварительному нагреву. В результате нагрева в вакууме происходит термическое травление поверхности, которое приводит к созданию новых несовершенств поверхности. Интенсивность термического травления растет при повышении температуры. [26]
Поскольку разница частот между падающим и рассеянным светом в бриллюэнов-ском рассеянии много меньше, чем в рамановском, и часто составляет несколько см 1, бриллюэновские спектры как правило анализируют не с помощью спектрометров с диффракционными решетками, а с помощью интерферометров Фабри-Перо. Так как многие полупроводники непрозрачны для видимых лазеров, интенсивность света, упруго рассеянного на несовершенствах поверхности, обычно довольно велика. Один интерферометр часто имеет недостаточный коэффициент подавления паразитного рассеянного света и разрешение недостаточное для того, чтобы отделить бриллюэновский пик от сильного пика упругого рассеяния. Подобная система показана на рис. 7.29 а. Первый интерферометр является предварительным фильтром для второго. Он помещен внутри камеры с инертным газом, давление которого может изменяться. [27]
Материал, представленный в данной статье, позволяет сделать два вывода. Во-первых, главное, в чем еще предстоит разобраться при дальнейшей разработке многослойной оптики на изогнутых поверхностях - это эффекты несовершенства границ раздела слоев и несовершенство поверхности подложки. Во-вторых, поокольку информация по обоим этим вопросам крайне ограничена, предстоит еще большой объем теоретической и экспериментальной работы. [28]
Сказанное означает, что дефекты распределяются по всей поверхности образца. Вероятность локализации дефекта в обезжиренной области уменьшается с уменьшением величины области. Такие дефекты возникают вследствие посторонних включений или из-за несовершенства поверхности, получающейся при изготовлении образца. Для исследования числа образующихся дефектов были поставлены опыты, в которых образцы, одна сторона которых оставалась обезжиренной, подвергались переменным напряжениям. В этих случаях образовывались трещины, которые росли с одинаковой скоростью поперек образца. [29]
Наиболее простыми типами являются точечные дефекты по Френкелю, образованные избыточными ( в междоузлиях) или внедренными атомами ( или ионами), и дефекты по Шоттки, образованные недостающими в решетке атомами - вакансиями. Организованные совокупности точечных дефектов представляют собой дислокации, краевые ( линейные) или винтовые. Дислокации выходят на поверхность в виде ступенек и обусловливают в основном несовершенство поверхностей. [30]
Страницы: 1 2 3