Несовершенство - поверхность
Cтраница 3
В дефекте упаковки, возникшем вследствие захлопывания плоского вакансионного скопления ( диска вакансий), может быть пропущен один из слоев нормальной упаковки - это ДУ вычитания; а когда пропущено несколько слоев, образуется дефект внедрения. При неправильном размещении трех или более слоев упаковки возникает микро-двойник. Еще более сложным трехмерным дефектом является микро-двойниковая ламель. Число дефектов упаковки зависит от ориентации ( рис. 7 - 8) и несовершенства поверхности подложки, условий роста и энергии образования ДУ. Большинство ДУ зарождается на границе между подложками и эпитаксиальным слоем. [31]
 |
Изменение числа дислокаций р при термоциклировании. [32] |
Исследования, проведенные на германиевых кристаллах [214], выявили закономерность изменения дислокационной структуры. В процессе термоциклирования дислокации приходят в движение. Дислокации, имеющие два выхода на одну и ту же поверхность ( L -, П - образные и др.), за 4 - 10 циклов режимов 400 850 С полностью выходят на поверхность. Такое поведение дислокаций приводит к некоторому уменьшению их плотности в кристалле на начальных стадиях обработки. Параллельно этому процессу идет образование и размножение новых дислокаций, основными источниками которых служат несовершенства поверхности кристалла. [33]
Гросс [38] пришел к выводу, что гетерозаряд связан с объемной поляризацией, которая может быть заморожена и, таким образом, сохраняется, тогда как гомозаряд является ионным поверхностным зарядом и связан с поверхностными дефектами. Свободный поверхностный заряд диэлектрика представляет, по-видимому, сумму гетерозаряда и гомозаряда. Такой свободный поверхностный заряд и соответствующий индуцированный заряд на прилегающем электроде образуют двойной электрический слой, который при комнатной температуре не исчезает в результате проводимости поверхностей, так как потенциальный барьер на поверхности электрода предотвращает перенос заряда между диэлектриком и электродом. В результате объемной проводимости также не происходит разрушения двойного электрического слоя, так как он не создает поля внутри диэлектрика, если его толщина мала по сравнению с толщиной образца. В результате проводимости при высоких температурах, обусловленной понижением высоты потенциального барьера, между диэлектриком и электродом происходит разряд. Электрический момент двойного слоя определяется несовершенствами поверхностей раздела. [34]
Локальные напряжения в твердом теле, так же как и грани, обладающие наибольшими значениями а, чаще всего являются центрами адсорбции. Наряду с гранями большое значение для адсорбции имеют дефекты структуры реальных кристаллов. Они изучаются физикой твердого тела, и здесь следует отметить лишь основные положения, непосредственно связанные с адсорбцией. Наиболее простыми - типами являются точечные дефекты по Френкелю, образованные избыточными ( в междоузлиях) или внедренными атомами ( или ионами), и дефекты по Шоттки, образованные недостающими в решетке атомами - вакансиями. Организованные совокупности точечных дефектов представляют собой дислокации, краевые ( линейные) или винтовые. Дислокации выходят на поверхность в виде ступенек и обусловливают в основном несовершенство поверхностей. [35]
Страницы: 1 2 3