Нестабильность - параметр
Cтраница 3
 |
Структурная схема усилителя, охваченного цепью обратной связи. [31] |
Однако погрешности, вносимые нестабильностью параметров ламп и других элементов ( сопротивлений, конденсаторов и пр. В некоторых конструкциях измерительных усилителей, выпускаемых промышленностью ( 8АНЧ, ТА-5 и др.), периодическое подключение градуировочного устройства производится автоматически. [32]
 |
Заряды, возникающие в окисной пленке на кремнии. [33] |
Установлено, что основной причиной нестабильности параметров, вызывающей большую часть отказов диодов и транзисторов, является изменение состояния поверхности кристалла полупроводника с переходами во время работы или хранения приборов. [34]
Использование исходного расписания в условиях нестабильности параметров управляемого процесса допустимо только при малых диапазонах изменения этих параметров. Однако при существенных изменениях условий протекания процесса использование исходной хромосомы малоэффективно, о чем свидетельствуют данные табл. 2.8, а использование исходного расписания вообще неприемлемо. [35]
Внутренняя, или связанная с нестабильностью параметров самого волокна. [36]
Расстройка контуров схемы, вызванная нестабильностью параметров элементов во времени. [37]
К числу таких недостатков следует отнести нестабильность параметров при климатических изменениях и ионизационном облучении, ограниченную скорость диффузии носителей зарядов, низкое входное сопротивление и ряд других. Отличие параметров полупроводниковых приборов ( низкое входное сопротивление, наличие внутренней обратной связи и др.) от соответствующих параметров электронных ламп не позволяет использовать ранее разработанные ламповые схемы для устройств на полупроводниковых приборах. [38]
Из рис. 2.22 следует, что нестабильность параметров аппаратуры оказывает значительно большее влияние на параметры фильтровых схем, чем на параметры корреляционных схем. Заметим, что наиболее существенно при этом сказывается неточность параметров линий задержки. Аналитические выражения для определения величин потери энергии Е в зависимости от нестабильности величины задержки приведены в § 4.3 для фильтров, работающих на радиочастотах и видеочастотах. [39]
 |
Возможные изменения параметров Л219.| Схема питания транзистора при помощи двух источников.| Простейшая схема питания транзистора от одного источника. [40] |
Основными методами уменьшения влияния разброса и нестабильности параметров транзисторов на характеристики схемы являются выбор схем, наименее критичных к изменениям характеристик транзисторов, применение отрицательных обратных связей и термостатирование. [41]
 |
Синхронная линия задержки. [42] |
Для описываемой схемы характерно стсутствие влияния нестабильности параметров, применяемых в с семе элементов на время задержки сигнала. Кроме того, при боль лом числе ячеек в линии отсутствует затухание сигнала в связи с полным его восстановлением в каждой ячейке. [43]
 |
Определение нелинейности насыщения ( а, зависимость реверсивной нелинейности от поля смещения ( б. [44] |
Изменение температуры служит одним из источников обратимой нестабильности параметров варикондов. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5