Нестабильность - параметр
Cтраница 4
На основе теоретико-вероятностных положений рассмотрены причины нестабильности параметров силовых полупроводниковых вентилей и приведена статистическая модель вентиля, характеризующая показатели его работы в статических и динамических режимах. Дан анализ процесса коммутации в вентильном преобразователе электроэнергии с учетом разброса параметров элементов его силовых цепей и приведены полученные на основании этого анализа внешние и регулировочные характеристики преобразователя, а также спектральный состав его токов и напряжений. Определены составляющие потерь мощности в силовых вентильных преобразователях и приведена методика расчета потерь мощности и КПД преобразователя. [46]
Недостатком сплавных транзисторов является большой разброс и нестабильность параметров во времени. [47]
Оба способа обладают существенным недостатком: из-за нестабильности параметров тиристоров нарушается пропорциональность между сигналом управления и моментом открывания тиристора. [48]
Для устранения паразитной термозависимой обратной связи, обусловленной нестабильностью параметров электролитических конденсаторов, необходимо устранить выделение напряжения отрицательной обратной связи на эмиттерной цепочке или, по крайней мере, значительно уменьшить его величину. [49]
 |
Зависимость длины пути, на котором длина сгустка не превысит заданной, от энергии электронов при различной ширине спектра. [50] |
В практической задаче получения моноэнергетических пучков вопрос о нестабильности параметров ускорителя является основным и определяет техническую возможность создания моноэнергетических ускорителей. [51]
 |
Появление петель гистерезисного типа на обратной ветви вольтамперной характеристики при осциллогра-фировании за счет дрейфа протонов по поверхности кристалла. [52] |
Попадание влаги на поверхность полупроводника является основной причиной нестабильности параметров и ненадежности полупроводниковых приборов. [53]
Метод косвенного анализа исследуемых структур позволяет произвести оценку ожидаемой нестабильности параметров и характеристик транзисторных усилителей с учетом влияния на разброс упомянутых показателей выбранного рабочего режима и отрицательной обратной связи на постоянном и переменном токе. В отличие от методов непосредственного анализа, которые обычно приводят к сложным уравнениям даже для сравнительно простых систем, метод косвенного анализа позволяет в ходе расчета оперировать простыми соотношениями и контролировать достоверность результатов, достигаемых на промежуточных этапах. [54]
Пересчитанный ко входу дрейф нулевого уровня за счет нестабильности параметров транзисторов Г13 - Т выходного каскада пренебрежимо мал и может не учитываться. [55]
Неоднородность распределения и неустойчивость тока являются основной причиной нестабильности параметров стабилитронов при малых рабочих токах. Вследствие этого в технических условиях на них оговаривается минимальное значение тока, при котором обеспечивается устойчивая стабилизация напряжения. [56]
Глава шестая содержит материалы разработки методики вероятностной оценки ожидаемой нестабильности параметров транзисторных усилителей с учетом влияния на разброс параметров выбранного рабочего режима на постоянном токе и глубины отрицательной обратной связи на переменном токе. [57]
При выборе схем коррекции видеоусилителей на транзисторах учитывают значительную нестабильность параметров транзисторов в связи с температурой, режимом работы и другими факторами. Так как сложные схемы высокочастотной коррекции очень критичны к параметрам элементов, то в транзисторных видеоусилителях преобладают схемы каскадов с одним элементом коррекции. На рис. 95 г показана схема транзисторного видеоусилителя с простой высокочастотной коррекцией. [58]
 |
Схема САдУ размером динамической настройки. [59] |
На первых проходах наибольшая часть погрешностей растачивания вызвана нестабильностью параметров заготовок: величины припуска и твердости материала. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5