Температурная нестабильность

Cтраница 1

Температурная нестабильность, величина которой повышается с увеличением задержки, обусловлена тем, что приращение температуры перехода на начальном участке временной зависимости нарастания тока, определяющем в основном время задержки, в большинстве случаев оказывается одного порядка и меньше фактического изменения температуры среды. Для уменьшения влияния температуры среды могут быть использованы известные методы: термостатирование и термокомпенсация. Термо-статирование приемлемо в случае маломощных транзисторов и при конструировании микросхем, термокомпенсация - для транзисторов любой мощности. В качестве термокомпенсирующих элементов могут быть использованы терморезисторы, полупроводниковые диоды и транзисторы. [1]

Температурные нестабильности, происходящие из-за нагрева резонаторов токами СВЧ, изменяют объем резонатора, что приводит к изменению резонансной частоты резонатора. [2]

Температурная нестабильность или температурный коэффициент сопротивления ( ТКС) характеризует относительное изменение сопротивления, вызванное изменением температуры. [3]

Температурная нестабильность объясняется зависимостью от температуры обратного тока / кэ в цепи коллектор-эмиттер и коэффициента передачи тока транзистора Нлз. [4]

Температурная нестабильность, или влияние температуры окружающей среды на основные параметры тензорезисторов, заключается, с одной стороны, в изменении сопротивления тензорезистора за счет его ТКС, а с другой - в появлении дополнительных механических напряжений вследствие различия в температурных коэффициентах линейного расширения материала тензорезистора и исследуемой детали. [5]

Температурная нестабильность одинаковым образом действует на числитель и знаменатель, и ее учитывать не нужно. [6]

Схемы транзисторных стабилизаторов. [7]

Температурная нестабильность определяется в первую очередь элементами схе мы сравнения, так как влияние регулирующего элемента ослабляется цепью отрицательной обратной связи. [8]

Возможные изменения параметров Л219.| Схема питания транзистора при помощи двух источников.| Простейшая схема питания транзистора от одного источника. [9]

Температурная нестабильность заключается в очень медленном, заметном лишь при наблюдении в течение многих часов изменении параметров транзистора после резкой смены температуры. [10]

Температурная нестабильность по току 7к0 может быть снижена за счет уменьшения сопротивления R6 или увеличения Ек, что, однако, увеличивает потребляемую мультивибратором мощность. [11]

Температурная нестабильность ТККГ в условиях эксплуатации является случайной величиной вследствие случайного характера температуры окружающей среды в условиях эксплуатации. При этом ТЧХ кварцевого генератора, термокомпенсированного с достаточно высокой точностью, по виду приближается к косинусои-дальней кривой с достаточно большим количеством периодов на участке компенсации при нелинейной термокомпенсации и к ку-сочно-нелинейной кривой - при дискретной компенсации. [13]

Схема ТККГ с комбинированной термокомпенсацией ( а и экспериментальные ТЧХ ( б. [14]

Остаточная температурная нестабильность, которую при использовании двухступенчатой термокомпенсации компенсирует вторая ступень, является результатом как изменения частоты кварцевого резонатора, так и изменения расстройки относительно частоты резонатора за счет действия первой ступени. Вследствие изменения крутизны управления частотой при изменении расстройки (5.27), выходное напряжение соответствующего формирователя второй ступени должно быть разным при одном и том же размахе ТЧХ генератора после грубой компенсации. [15]

Страницы: 1 2 3 4