Температурная нестабильность

Cтраница 2

Температурная нестабильность индуктивностей оценивается температурным коэффициентом индуктивности ( ТКИ): aLALf ( LAT), где ДГГ2 - TI - соответственно разность конечной и начальной температур. [16]

Схемы стабилизации тока 7К. [17]

Температурная нестабильность каскадов на униполярных транзисторах обусловлена изменением напряжения отсечки зи. [18]

Температурная нестабильность конденсаторов определяется температурным коэффициентом емкости ( ТК. [19]

Температурная нестабильность тока Нагрузки определяется теми же факторами, что и для стабилизатора напряжения. [20]

Температурная нестабильность длительности импульса определяется в основном температурной нестабильностью входной характеристики транзистора и зависимостью / к0 от температуры. [21]

Температурная нестабильность полупроводниковых диодов с возрастанием тока уменьшается. Поэтому выгоднее работать при больших значениях управляющего тока / у, хотя при этом приходится отбирать большую мощность от управляющей цепи. Необходимо также, чтобы / - был во много раз больше тока сигнала. [22]

Температурная нестабильность параметров транзисторов приводит к значительной зависимости основных характеристик транзисторных каскадов от температуры. [23]

Температурная нестабильность характеристик транзистора является их существенным недостатком. [24]

Температурная нестабильность характеристик транзистора является их существенным недостатком. [25]

Температурная нестабильность положения рабочих точек транзисторов Г7 - Tw не вызывает дрейфа выходного напряжения усилителя, так как из-за наличия разделительного конденсатора С5 транзисторы не связаны гальванически с выходными зажимами решающего усилителя. [26]

Температурная нестабильность времени задержки линий ячеечного типа лежит в пределах ( 0 01 - 0 04) % на Г С. Стабильность времени задержки повышают различными способами, в частности, используя термоком-пенсированные конденсаторы или противоположные температурные коэффициенты катушки индуктивности и конденсатора. [27]

Если температурная нестабильность превышает заданную величину, то вводим термокомпенсацию при помощи терморезисторов или р-п переходов. [28]

Компараторное УВЗ [ IMAGE ] Запоминающий элемент с. [29]

Однако временная и температурная нестабильность характеристик МОП-транзисторов не позволяет применять разомкнутые схемы в прецизионных вычислительных преобразователях, к которым относятся время-импульсные устройства. [30]

Страницы: 1 2 3 4