Временная нестабильность

Cтраница 3

Замечается также нежелательный побочный эффект временной нестабильности, заключающийся в том, что ферроэлектрический конденсатор, оставленный надолго в одном состоянии, плохо переходит в другое состояние. [31]

Частотная зависимость тангенса угла потерь для карбонильного железа различных марок.| Относительное изменение проницаемости во времени образцов карбонильного железа, изготовленных с изоляцией жидким стеклом и бакелитовым лаком ( а и с изоляцией ортофосфоршш кислотой и бакелитовым лаком ( б из порошков различных марок. [32]

Важной характеристикой магнитодиэлектриков является величина временной нестабильности Kt, определяемая по формуле Kt ( [ in - ( - чУНч 100 %, где и - первоначальное значение начальной проницаемости; г - значение начальной проницаемости при последующих измерениях через п дней. [33]

Коэффициент старения пленочного резистора определяет временную нестабильность его сопротивления. [34]

Коэффициент старения пленочного резистора определяет временную нестабильность сопротивления. [35]

Установим величину погрешности, вызываемую временной нестабильностью характеристик элементов, применяемых в приборах. [36]

Схемы включения диода в фотодиодном ( а и фотовентильном ( б режимах. [37]

Недостатками фоторезисторов являются значительная инерционность, температурная и временная нестабильность характеристик. [38]

Структурная схема МТУ. [39]

Все перечисленные выше способы не учитывают временную нестабильность характеристик ИП. В связи с этим, для достижения требуемой точности измерения во всех частях широкого диапазона измеряемых величин, считается перспективным использовать для коррекции статических характеристик самообучающиеся системы на основе искусственных нейронных сетей. [40]

Недостатки этого способа обработки связаны с возможной временной нестабильностью поверхностного заряда при наличии окиси германия, так как на величину заряда могут оказывать влияние температура и состав окружающей среды. Из этих соображений вместо окисленного германия был бы желателен более устойчивый поверхностный слой. [41]

Обратная характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при обратном включении ( б. [42]

Характерная черта тока утечки заключается в его временной нестабильности, которую часто называют ползучестью. Есть основания считать, что ползучесть связана главным образом с адсорбированной пленкой водяных паров. Времена релаксации при нарастании или спадании обратного тока оказываются различными и обычно лежат в пределах от нескольких секунд до нескольких часов. В течение указанного времени обратный ток иногда меняется на десятки процентов, причем величина ползучести оказывается индивидуальной у разных диодов одного и того же типа. [43]

Обратные характеристики диодов - германиевого ( а и кремниевого ( б - в отсутствие поверхностного канала.| Обратная характеристика реального диода, ее идеализация ( о и эквивалентная схема диода при обратном включении ( б. [44]

Характерная черта тока утечки заключается в его временной нестабильности, которую часто называют ползучестью. Есть основания считать, что ползучесть связана главным образом с адсорбированной пленкой водяных паров. Времена релаксации при нарастании или спадании обратного тока оказываются различными и обычно лежат в пределах от нескольких секунд до нескольких часов. В течение указанного времени обратный ток заметно меняется ( изменение может выражаться в десятках процентов), причем величина ползучести оказывается индивидуальной у разных диодов одного и того же типа. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5