Колебательная неустойчивость
Cтраница 2
Рассмотрим теперь возможность инициирования колебательной неустойчивости с частотой - 103 Гц вторичным электронным пучком. [16]
Практически наблюдение перехода от колебательной неустойчивости к монотонной осложняется тем, что этот переход происходит на фоне развитого колебательного движения. [17]
С уменьшением Рг область колебательной неустойчивости сокращается. Как видно, при Рг 9 для всех ос и k колебательная неустойчивость отсутствует. [18]
 |
Амплитудные кривые для стационарных движений [ IMAGE ] Карта режимов на плоскости ( 7, 6. [19] |
Линия 3 соответствует границе колебательной неустойчивости. Нестационарные режимы существуют в заштрихованной области. [20]
Возможность развития в рассматриваемой системе колебательной неустойчивости в значительной мере связана с плотностью плазмообразую-щего газа вблизи поверхности. Если плотность газа настолько велика, что частота столкновений электронов плазмы ( между собой, с атомами и ионами газа) больше инкремента наиболее сильной неустойчивости, то состояние системы будет стабильно. Причем в таких условиях давление газа больше 0 1 атм, коллективные взаимодействия плазмы с электронным пучком отсутствуют. В плотной газовой среде даже сильноточные электронные пучки проявляют себя с макроскопической точки зрения только как концентрированные в пространстве потоки энергии. [21]
Таким образом, примем, что колебательная неустойчивость в экспериментах [27] в диапазоне 1 кГц обусловлена пульсациями плотности плазменного факела вблизи поверхности металла, однако ее механизм ие связан с эффектом ионной откачки. [22]
 |
Декременты нижних тепловых уровней и нейтральные кривые колебательной неустойчивости. [23] |
В отличие от монотонной неустойчивости, колебательная неустойчивость существенно связана с неизотермичностью течения. Как видно из приводимого на рис. 120 спектра, она вызывается нижними тепловыми модами. [24]
В чем же тогда кроется причина колебательной неустойчивости. Она заключается в свойствах измерительного стенда. Дело в том, что расход охладителя поддерживался постоянным не через образец, а через ротаметр, расположенный сразу же после создающего большой перепад давлений регулирующего вентиля. После ротаметра до образца находится значительная часть стенда с коллекторами, манометрами. Возможные пузырьки выделяющегося из воды растворенного воздуха ( вода в этих экспериментах еще не деаэрировалась и, более того, подавалась из бака под действием сжатого воздуха), накапливающиеся в манометрах и других верхних частях стенда, играют роль предвключенного сжимаемого объема. В этом случае вся система работает следующим образом. Рассмотрим кривые на рис. 6.18. Фронт зоны испарения постепенно углубляется с внешней поверхности внутрь образца, вызывая повышение температуры во всех его точках. [26]
Гораздо более простой критерий соответствует случаю колебательных неустойчивостей, но их существование в рассматриваемых здесь системах все еще экспериментально не установлено. Согласно приведенному выше критерию, процессы физической адсорбции должны быть устойчивы по Марангони, а десорбции - неустойчивы; устойчивость экстракции в системах жидкость - жидкость зависит от направления переноса между фазами, а процесс дистилляции устойчив в отрицательных системах и неустойчив в положительных. Диствлляционные системы, относящиеся, согласно предложенной классификации типу У. [27]
Рассмотрим возможность инициирования в приповерхностной плазме колебательной неустойчивости с частотой - Ю3 Гц первичным электронным пучком. [28]
Значительно более жесткий характер приобретают условия возможности колебательной неустойчивости для процессов гетерогенного катализа. Здесь величина Tad - Ть определяется суммарной объемной теплоемкостью реакционной зоны, включающей теплоемкость самого слоя катализатора. [29]
Значительно более жесткий характер приобретают условия возможности колебательной неустойчивости для процессов гетерогенного катализа. Здесь величина Tad - 7 определяется суммарной объемной теплоемкостью реакционной зоны, включающей теплоемкость самого слоя катализатора. [30]
Страницы: 1 2 3 4