Нехватка - электрон
Cтраница 1
 |
Перемещение положительных дырок.| Зависимости термо-э. д.с. от перепада температур. [1] |
Местная нехватка электрона сказывается в проявлении эффекта положительного заряда, удачно названного положительной дыркой. Положительные дырки способны перемещаться, благодаря чему возникает перенос положительных зарядов. [2]
Атом с нехваткой электронов имеет положительный заряд, а атом с излишним электроном - отрицательный. Движение ионов тоже представляет собой электрический ток. По внешним проявлениям нельзя определить, какие носители электрических зарядов в данном случае движутся - электроны или ионы. [3]
В результате делокализации ( XX) на алюмах С-3 и C-I ощущается нехватка электронов, как это имеет место в простом карбонильном соединении. Различие между такой передачей через сопряженную систему и индуктивным эффектом в насыщенной системе состоит в том, что здесь эффект падает не столь быстро при передаче по цепи, а также в изменении полярности. [4]
В результате делокализации ( XX) на альмах С-3 и C-I ощущается нехватка электронов, как это имеет место в простом карбонильном соединении. Различие между такой передачей через сопряженную систему и индуктивным эффектом в насыщенной системе состоит в том, что здесь эффект падает не столь быстро при передаче по цепи, а также в изменении полярности. [5]
Теория комплексных соединений показывает, что вакантные орби-тали, остающиеся свободными вследствие нехватки электронов в оболочке атома, нельзя рассматривать как простые ( инертные) емкости. И в них в той или иной степени также проявляется действие поля ядерных сил. Свободная орбиталь в известном смысле напоминает ловушку, нечто вроде капкана для неблокированных электронных дублетов, содержащихся в оболочке донорных атомов лигандов ( рис. 5 - 14, а): вакантные орбитали потенциально активны как участники образования внутримолекулярных ковалентных связей между партнерами по донорно-акцепторному механизму. Характерно, что при образовании комплексов часто наблюдается уменьшение эффективного радиуса молекулы-лиганда. [6]
Другой электрон переносится с Тир 67 на гем, оставляя Тир 67 с нехваткой электрона. Здесь также электрон переходит с меньшей системы делокализации на большую, обладающую более низкими уровнями энергии. Этому переходу способствует электростатическое отталкивание, создаваемое избыточным отрицательным зарядом на Трп 59, хотя прямой переход электрона с Трп 59 на Тир 67 невозможен вследствие отсутствия перекрывания я-электронных облаков. [7]
Любой находящийся выше такого подуровня электрон, стремясь к минимуму энергии, будет переходить на этот уровень, создавая нехватку электрона на прежнем месте, затем такой же процесс произойдет с вышележащим электроном и так далее, пока эта нехватка не переместится к потолку зоны. Очевидно, что в заполненной зоне, где число электронов близко к 2л, такие перемещения будут наблюдаться только вблизи ее потолка и, так как количество свободных подуровней мало, перемещение электронов тождественно перемещению нехватки электрона к потолку зоны. [8]
 |
Схема энергетических зон для металла.| Схема энергетических зон для изолятора. [9] |
Это нейтральное состояние не локализуется на каком-либо одном ионе, а блуждает по всем ионам Mf кристаллической решетки. Дырка в валентной зоне означает нехватку электрона у отрицательного иона R -, вследствие чего тот переходит в нейтральное состоя-ние, также блуждающее по всем ионам R - решетки. Как свободные электроны, так и свободные дырки могут служить носителями тока. [10]
При освещении электрода р-типа соответствующие кривые значительно приближаются к кривым для / г-типа. Это свидетельствует о том, что расхождение кривых для кремния / г - и р-типа в какой-то степени зависит от нехватки электронов на поверхности полупроводника р-типа. [11]
Обе структуры В5Н9 и В10Н14 включают водородные мостики и концевые связи В - Н, такие же, как те, благодаря которым существует молекула диборана. Однако потеря водорода [ по реакциям ( 7 - 40) и ( 7 - 41) ] еще сильнее обостряет проблему нехватки электронов. Каждый из пяти атомов бора имеет четыре валентные орбитали ( одна 2s и три 2р), и еще девять валентных орбиталей дают девять атомов водорода. Такой недостаток электронов ( или избыток орбита-лей) всегда приводит к образованию структуры кластера; при этом связь осуществляется за счет молекулярных орбиталей, которые охватывают большое число атомов. [12]
Изменение скорости окисления нелегированного свинца в зависимости от давления кислорода, наблюдавшееся Грулем, согласуется с предположением, что окись свинца РЬО является полупроводником с нехваткой электронов. Благотворное же воздействие больших добавок сурьмы к свинцу должно, таким образом, объясняться появлением в окалине либо Sb2O3, либо антимонида свинца, либо же и того и другого одновременно. Такая окалина в конце концов должна расплавиться ( эвтектическая температура равна 600 С), вызывая ускоренное окисление свинца при более высоких температурах. Влияние пара Sb406 сводится к мгновенному повышению скорости окисления при 400 С [606] в полном соответствии с действием упоминавшегося механизма образования дефектов в окалине из РЬО. [13]
Такая стабилизация будет иметь место при условии, если ион - ОН присоединяется в орто - или пара-положение, и не будет иметь места в случае присоединения в мета-положение. Несмотря на размеры соседней ЫО2 - группы, более предпочтительной должна быть атака в орто-положение, поскольку индуктивный эффект нитрогруппы, действуя на малом расстоянии, создает большую нехватку электронов в орто -, чем в пара-положении. [14]
Такая стабилизация будет иметь место при условии, если ион - ОН присоединяется в орто - или пара-положение, и не будет иметь места в случае присоединения в мета-положение. Несмотря на размеры соседней МО2 - группы, более предпочтительной должна быть атака в орто-положение, поскольку индуктивный эффект, нитрогруппы, действуя на малом расстоянии, создает большую нехватку электронов в орто -, чем в пара-положении. [15]
Страницы: 1 2