Нехватка - электрон
Cтраница 2
Любой находящийся выше такого подуровня электрон, стремясь к минимуму энергии, будет переходить на этот уровень, создавая нехватку электрона на прежнем месте, затем такой же процесс произойдет с вышележащим электроном и так далее, пока эта нехватка не переместится к потолку зоны. Очевидно, что в заполненной зоне, где число электронов близко к 2л, такие перемещения будут наблюдаться только вблизи ее потолка и, так как количество свободных подуровней мало, перемещение электронов тождественно перемещению нехватки электрона к потолку зоны. [16]
 |
Способы возбуждения ВЧ-разрядов. а-индукционный. 6 - емкостный. в - емкостный безэлектродный ( изолятора заштрихованы. [17] |
На их фоне электроны совершают дрейфовые колебания, так что граница плазмы, где пел, также перемещается, поочередно касаясь одной из твердых поверхностей. При этом обнажается ионный слой положит, пространственного заряда около противоположной поверхности. Нехватка электронов в промежутке, отчего и получаются приэлектродные слои, возникает из-за того, что находившиеся вблизи поверхностей электроны в самом начале либо уходят в металл, либо прилипают к изолирующим электроды пластинам. [18]
Это значит, что у соседних атомов ( С-О, Р - О, С-N) имеется дефицит электронов - связь двуположительная; ферментативный гидролиз идет тем легче, чем больше этот дефицит. Предполагают, что активные группы фермента, взаимодействуя со связями, увеличивают дефицит в результате образования новых связей фермент - субстрат. Нарастающая нехватка электронов и приводит к ослаблению и полному разрыву связи; гидролиз завершается присоединением Н и ОН к освободившимся валентностям. [19]
 |
Тепловая проводимость полу.| Эмпирическая зависимость ширины запрещенной зоны Д. от электроотрицательности элементов бинарных соединений АВ. [20] |
Рассмотрим кристалл чистого германия. Подобно кремнию, он должен обладать низкой собственной проводимостью при низких температурах. Если в этот кристалл добавить немного атомов галлия, образуется нехватка электронов ( дырки), так как каждый атом галлия поставляет три электрона вместо четырех, необходимых для сохранения зоны в заполненном состоянии. [21]
Если в четырехвалентный кремний или германий ввести в качестве примеси пятивалентный фосфор, появятся избыточные электроны, легко порывающие связь с атомами. Электроны, как известно, несут отрицательный заряд. Если же в качестве примеси использовать трехвалентный элемент, например бор, на определенных местах в атоме, называемых дырками, образуется нехватка электронов. Под влиянием внешнего электрического поля электрон из одного атома перескакивает в другой, заполняя в нем дырку, его место занимает электрон из соседнего атома и тд. Наблюдаемый при этом эффект эквивалентен перемещению дырок в направлении, противоположном движению электронов. [22]
Что получается, если в воду бросить кристаллик соли. Соль - твердое тело, кристалл, в котором атомы соли расставлены правильными рядами. Строго говоря, кристалл состоит не из атомов, а из ионов. Ионы - это атомы с излишком или с нехваткой электронов. Ионы в твердой соли скреплены друг с другом электрическим притяжением, но в воде некоторые из них, притянувшись к положительному водороду или отрицательному кислороду, начинают свободно двигаться. На рисунке нарочно подчеркнуты некоторые детали процесса. [23]
Таким образом, электропроводность кремния или германия частично осуществляется за счет перемещения всегда присутствующих свободных электронов, частично же за счет перемещения электронов по дыркам. Очевидно, что в чистом германии и кремнии в любой момент имеется столько же дырок, сколько и свободных электронов. Если в германий ввести в незначительном количестве какой-либо элемент пятой группы, например сурьму, атомы сурьмы заместят в кристаллической решетке часть атомов германия и по-прежнему свяжутся с четырьмя соседними атомами германия четырьмя ковалентными связями. На образование этих связей затратятся четыре ( из пяти) валентных электрона каждого атома сурьмы, пятый же электрон останется неиспользованным и станет свободным; электронная проводимость увеличится за счет дырочной проводимости. Наоборот, если в германий ввести элемент третьей группы, например индий, с тремя валентными электронами, в решетке возникнет нехватка электронов для образования ковалентных связей, резко увеличится число дырок по сравнению с числом свободных электронов, а вследствие этого возрастет дырочная проводимость за счет электронной. [25]
Может случиться ( при малой концентрации примеси), что все лишние электроны будут отданы. Такое поведение обнаруживается при зведении в решетку четырехвалентного кремния или германия атомов пятивалентных мышьяка или фосфора. На рис. 302 упрощенно изображена кристаллическая решетка кремния. Если один атом кремния заменить на атом мышьяка, то один электрон остается лишним. Если в ряде мест решетки кремний будет заменен на алюминий, то в кристалле возникнут места нехватки электронов После того, как поле наложено, атом алюминия сможет отобрать электрон у соседнего атома кремния; электрон перейдет под дей ствием электрического поля, а дырка сдвинется в обратную сто рону. [26]
Может случиться ( при малой концентрации примеси), что все лишние электроны будут отданы. Такое поведение обнаруживается при введении в решетку четырехвалентного кремния или германия атомов пятивалентных мышьяка или фосфора. На рис. 302 упрощенно изображена кристаллическая решетка кремния. Если один атом кремния заменить на атом мышьяка, то один электрон остается лишним. Замечательно то, что примеси могут привести и к / 7-проводимости. Если в ряде мест решетки кремний будет заменен на алюминий, то в кристалле возникнут места нехватки электронов. После того, как поле наложено, атом алюминия сможет отобрать электрон у соседнего атома кремния; электрон перейдет под действием электрического поля, а дырка сдвинется в обратную сторону. [27]
Страницы: 1 2