Cтраница 2
![]() |
Микрофонные капсюли. [16] |
На телефонных сетях применяют низкоомные, среднеомныс и высокоомные микрофоны. Различное сопротивление микрофонов зависит от величины зерен угольных порошков и их термической обработки. [17]
Потенциометры R и R - низкоомные. Их сопротивления составляют несколько десятков ом. Включение двух потенциометров позволяет более плавно изменять напряжение на участке эмиттер - база. Измерительные приборы во входной и выходной цепях транзистора должны быть рассчитаны на измерение постоянных токов и напряжений. [18]
Это значит, что включаются самые низкоомные ( маленькие) сопротивления, величина которых меньше, чем R. Если длина г значительно меньше, чем среднее расстояние между донорами гд, то будут включены лишь сопротивления между редкими, аномально близкими друг к другу донорами. [19]
Все универсальные воспроизводящие и записывающие магнитные головки низкоомные, за исключением универсальной головки от магнитофона Астра и Астра-2. Все рекомендованщле универсальные головки заключены в пермаллоевые экраны. [20]
В детекторных приемниках импульсных сигналов целесообразно использовать низкоомные видео детекторы, так как в этом случае легче обеспечить требуемую полосу пропускания первого каскада. [21]
![]() |
Упрощенная схема дифференциального вольтметра. [22] |
По значению сопротивления измерительной цепи потенциометры делятся на низкоомные и высокоомные. [23]
В, имеют высокое значение выходного тока, низкоомные осаждаются при напряжении 30 - 60 В и характеризуются меньшими значениями выходного тока. В настоящее время наибольшее применение имеют высокоомные лакокрасочные материалы. [24]
В мостах, в высокоомном плече которых используются относительно низкоомные ( до 109 - 10 Ом) микропроволочные резисторы, погрешность, обусловленная высокоомным плечом, резко уменьшается вследствие высокой стабильности и независимости сопротивления примененных резисторов от приложенного напряжения. [25]
![]() |
Головка звукоснимателя ГЗКУ-631Р. [26] |
Электромагнитные телефоны выпускаются высокоомные ( более 2000 Ом) и низкоомные ( 600 Ом) при частоте 1000 Гц на пару телефонов. [27]
Пленкообразующие, применяемые для электроосаждения, делятся на две группы: низкоомные и высокоомные. [28]
Причем высокоом-ные резисторы создают в процессе диффузии, базовых областей, а низкоомные - в процессе диффузии эмиттерных областей, когда вводятся более высокие концентрации примеси. [29]
![]() |
Профили легироиашш многослойных структур, выращенных жидкостной эшиаксией. [30] |