Низкоомные

Cтраница 4

Резисторы МГП обладают малым ТКС, малым коэффициентом напряжения и высокой стабильностью параметров. Резисторы С2 - 7Е - металлоокисные низкоомные дополняют шкалу номинальных значений сопротивлений резисторов МТ. [46]

Напряжение основного источника электропитания элемента ЭСЛ-типа составляет - 5 2 В. При этом нагрузочные резисторы могут быть низкоомные ( 50, 75 и 100 Ом) и в случае включения их в конце линии связи при последовательном обходе нагрузок и при равенстве их сопротивления волновому сопротивлению линии одновременно являются согласующими. [47]

ЭП вынесены за пределы микросхем и могут подключаться к другому источнику напряжения, например - 2 В. При этом нагрузочные резисторы могут быть низкоомные ( 50, 75 и 100 Ом) и в случае включения их в конце линии связи при последовательном обходе нагрузок и при равенстве их сопротивления волновому сопротивлению линии одновременно являются согласующими. [48]

Для микрофона МК-10 Кб должен быть не более 5, для микрофона МК-14-15. По величине сопротивления микрофоны делятся на низкоомные, среднеомные и высокоомные. [49]

ПКН высокоомных сопротивлений, ток, потребляемый от источника стабильного напряжения, уменьшается и стабильность источника повышается. Однако высокоомные сопротивления менее точные, чем низкоомные. [50]

С другой стороны, головки с высокой индуктивностью более подвержены электромагнитным наводкам, имеют больший уровень собственных шумов и требуют для правильного электрического согласования относительно вы-сокоомный вход усилителя воспроизведения. В связи с этим и появилось разделение головок на низкоомные и высоко - омные. [52]

В основе наиболее распространенного способа изготовления диффузионных резисторов лежит использование базового или эмиттерного слоя транзисторной структуры. В первом случае получают высокоомные резисторы, во втором - низкоомные, так как базовый слой имеет значительно меньшую концентрацию основных носителей, чем эмиттерный. [53]

В более ранних работах было показано, что высокоом-ные сопротивления изменяются больше, чем низкоомные. [54]

В измерителях мощности поглощающего типа сопротивление болометра должно быть близким к волновому сопротивлению линии передачи; для сантиметрового диапазона волн эта величина определяется порядком нескольких сотен ом. Поэтому, например, высокочувствительные пленочные полупроводниковые болометры, преимущественно высокоомные, и металлические пленочные болометры, обычно низкоомные, которые широко используются в технике измерения инфракрасных излучений, оказываются непригодными для ваттметров СВЧ поглощающего типа. Однако такие болометры могли бы с успехом применяться в измерителях проходящей мощности, где не требуется такое согласование, а высокая чувствительность является основным требованием, предъявляемым к болометру. [55]

Катушка резисторов, применяемые в приборах сопротивлений, по последовательности подгонки и выполнению промежуточных операций подразделяют на группы: низкоомные - от 0 01 до 0 11 Ом и от 0 11 до 100 Ом ( две подгруппы); высокоомные - от 100 Ом и выше. [56]

Обычно в качестве диффузионных резисторов используют базовый или эмиттерный слой планарной транзисторной структуры. Базовые диффузионные резисторы - высокоомные ( концентрация основных носителей заряда в базе значительно меньше, чем в эмиттере), а эмиттерные - низкоомные. [57]

Далее выяснилось, что если расплав был достаточно чист от других примесей, то в результате легирования этим сортом железа получаются слитки n - типа, высокоом-ные в области легирования, но низкоомные вдали от нее. Легирование железом NRC всегда дает низкоомный дырочный материал в области легирования; по мере продвижения вдоль слитка сопротивление постепенно повышается, и материал может стать высокоомпым ( дырочным) еще до того, как появятся поликристаллические включения. [58]

Схема модернизированного устройства с приборами старых моделей. [59]

Устройство модернизированной системы в отличие от предыдущего устройства измеряет только один поток теплоносителя ( острого пара), а остальные выражаются в функциях от него, что позволило упростить схему. Назначение измерительных приборов устройства такое же, как и у приборов схемы на рис. 50 с соответствующими обозначениями, однако типы приборов другие: / и 2 - типа ДС, 5 и 6 - типа ППР, 7 - типа МС, реохорды их ДПП низкоомные, 10 - преобразователь типа ППФ-4С или потенциометр ЭПСМ-4С. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5