Избыточный неосновной носитель

Cтраница 1

Избыточные неосновные носители могут возникать у границ перехода не только за счет приложения внешнего напряжения, но и вследствие воздействия других факторов, например света ( см. гл. [1]

Схема контактного транзистора. [2]

Инжекция избыточных неосновных носителей заряда через р - - переход в примесный полупроводник обычно не нарушает нейтральности материала. [3]

Схема контактного транзистора. [4]

Инжекция избыточных неосновных носителей заряда через р - я-переход в примесный полупроводник обычно не нарушает нейтральности материала. [5]

Стационарные распределения концентраций избыточных неосновных носителей в этих областях & пр ( х) и & рп ( х) определяются из уравнений диффузии вида (1.26) при условиях, что на границах перехода, принятых за начало отсчета, концентрации определяются по (2.7) и (2.8), а в глубине нейтральных областей они стремятся к нулю вследствие рекомбинации. [6]

Определяя изменение концентрации избыточных неосновных носителей тока вдоль нитевидного образца, в который инжектируется постоянное число неосновных носителей тока, можно измерить диффузионную длину Ln или Lp, так как концентрация избыточных носителей тока в стационарных условиях меняется, как ехр [ - x / Lp ], где х - расстояние от точки инжекции. При этом предполагается, что поверхностная рекомбинация не влияет существенным образом на величину времени жизни нитевидного образца ( см. гл. Чтобы убедиться, что это так, следует повторить измерения на образцах другой толщины и, если необходимо, внести соответствующие поправки, связанные с поверхностной рекомбинацией, так, как это рекомендуется в гл. [7]

Это приводит к образованию избыточных неосновных носителей, сам процесс нагнетания которых называется инжекцией. [8]

Для создания в полупроводнике избыточных неосновных носителей заряда требуются затраты энергии, поэтому световой выход СИД пропорционален ( до определенного предела) потребляемому им току и может модулироваться его изменением. Коэффициент полезного действия свето-даодов невысок ( от долей процента до нескольких процентов) и определяется в основном отношением числа генерированных фотонов к числу электронов, прошедших через диод. Имеют значение также оптические потери при излучении и тепловые потери в омическом сопротивлении материалов полупроводника. При излучающей поверхности 1 5 см2 затрачивается примерно 2 Вт на 1 кд / м2 яркости. Значительная потребляемая мощность при некоторых применениях СИД является серьезным ограничивающим фактором. Вольт-амперная характеристика СИД аналогична характеристике обычного диода. [9]

По мере перемещения от границ перехода концентрация избыточных неосновных носителей непрерывно падает ( рис. 8.15 6), вследствие чего уменьшается и величина тока, обусловленная диффузией их в глубь полупроводника. Одновременно с этим увеличивается ток, вызванный перемещением к переходу основных носителей заряда. На расстоянии порядка нескольких диффузионных длин избыточные неосновные носители полностью рекомбинируют и весь ток / цр, текущий в полупроводнике, вызывается перемещением основных носителей под действием внешнего поля. [10]

В случае прямого смещения потенциал V положителен, избыточные неосновные носители заряда, инжектированные через р - n - переход, точно нейтрализуются всюду соответствующим зарядом основных носителей, поступающих через задний контакт. [11]

В случае прямого смещения потенциал V положителен, избыточные неосновные носители заряда, инжектированные через р - - переход, точно нейтрализуются всюду соответствующим зарядом основных носителей, поступающих через задний контакт. [12]

Ток в это время обусловлен не только переходом оставшихся избыточных неосновных носителей из базы в эмиттер, но и перезарядкой барьерной емкости. [13]

Метод затухания напряжения холостого хода связан с инжекцией избыточных неосновных носителей заряда в базовую область1 прибора с р-ъ - переходом при приложении прямого напряжения смещения или при фотогенерации и наблюдением пропесса затухания Voc после резкого прекращения действия источника носителей. Метод позволяет определять достаточно малые значения времени жизни носителей ( т 1 ( Г7 с), и его преимущество состоит в том, что измерения проводятся в условиях, близких к реальным условиям эксплуатации элементов. С его помощью при инжекции носителей заряда под действием импульса прямого напряжения смещения было измерено [ Davies, 1963 ] их время жизни в слабо легированном z - слое р - i - - структуры в условиях низкого и высокого уровней инжекции. Voc при инжекции носителей в режиме прямого напряжения смещения и при их возбуждении светом со значениями г, найденными методом наведения тока электронным пучком ( см. 1.6.5), показало, что для кремниевых солнечных элементов наиболее достоверные результаты могут быть получены при генерации носителей светом. [14]

Включение л-р-л-транзистора ( а, распределение потенциала ( б, концентрации электронов ( в и напряженности электрического поля ( г. [15]

Страницы: 1 2 3 4