Избыточный неосновной носитель

Cтраница 2

Инжектированные в базу электроны, являясь в ней избыточными неосновными носителями заряда, диффундируют в направлении от эмиттера к коллектору. В процессе переноса избыточных электронов диффузией через базу часть их рекомбинирует с дырками, не попадая в. [16]

Отдельные п - и р-области ( а, объединенные п - и р-области ( б.| Распределение пространст - - ч. [17]

В р-области электроны, перешедшие из л-области, являются неравновесными избыточными неосновными носителями заряда. При постоянном прямом напряжении U концентрация их у границы слоя пространственного заряда поддерживается на постоянном уровне, зависящем от U. Введение избыточных неосновных носителей при прохождении прямого тока через р-п-переход называют инжекцией. [18]

В базе транзистора TI с этого момента времени начинается процесс рассасывания избыточных неосновных носителей. После окончания стадии рассасывания избыточных носителей транзистор TI начинает запираться. Этот этап переходного процесса называется стадией предварительного формирования фронта импульса. Его длительность ta показана на рис. 5.65, в. По мере того как напряжение MKI становится более отрицательным, транзистор Т2 выходит из отсечки. Положительное напряжение на базе транзистора Т2, начальная величина которого равнялась бо, уменьшается. Стадия предварительного формирования фронта импульса заканчивается, когда напряжение 62 достигает величины, равной нулю ( рис. 5.65, д), и транзистор Т2 переходит Б активный режим работы. Этап рассасывания неосновных носителей и предварительного отпирания называется стадией подготовки. [19]

Как только они пройдут через область объемного заряда, они становятся избыточными неосновными носителями ( компенсирующимися избыточными основными носителями, которые поступают, чтобы сохранить нейтральность) и диффундируют в области, относительно свободные от поля, до тех пор, пока не рекомбинируют или не будут собраны на коллекторе. [20]

Если внешняя цепь разомкнута, то устанавливается динамическое равновесие первичного светового тока избыточных неосновных носителей / св, созданных квантами света, и тока, имеющего обратное направление. При подключении внешней нагрузки происходит ответвление тока во внешнюю цепь. Суммарный ток по-прежнему будет равен световому. [21]

Эффекты, обусловленные такими полями, подавляются основными носителями, которые стремятся нейтрализовать заряд избыточных неосновных носителей, и это подавление является лишь делом времени, требуемым для достижения нужной степени нейтральности. [22]

Эффекты, обусловленные такими полями, подавляются основт ными носителями, которые стремятся нейтрализовать заряд избыточных неосновных носителей, и это подавление является лишь делом времени, требуемым для достижения нужной степени нейтральности. [23]

Так как условие рр пр уже не выполняется, скорость объемной рекомбинации определяется не только концентрацией фотогенерированных избыточных неосновных носителей заряда. Реализуется более сложная модель рекомбинациоиного процесса. [24]

Временные диаграммы. [25]

После окончания входного импульса ток коллектора некоторое время продолжает нарастать, так как база транзистора заполнена избыточными неосновными носителями и сопротивление коллекторного перехода продолжает оставаться малым. Когда концентрация неосновных носителей базы вблизи коллекторного перехода становится близкой к нулю ( выход транзистора из насыщения), ток коллектора прекращает рост. [26]

Когда коэффициент поглощения а не мал по сравнению с i / d, то вследствие неравномерного распределения избыточных неосновных носителей тока должен возникнуть диффузионный ток. Если, как обычно, коэффициенты диффузии электронов и дырок разные, то из условия равенства нулю составляющей полного тока в направлении нормали к освещенной поверхности следует, что должно существовать электрическое поле, перпендикулярное к этой поверхности. [27]

Из (8.49) - (8.51) следует, что для уменьшения Сд и повышения быстродействия диодов необходимо уменьшать время жизни избыточных неосновных носителей т, легируя п - и р-областн примесью, создающей эффективные рекомбинационные центры. Такой примесью является, в частности, золото, легирование которым позволяет снизить т до нескольких наносекунд. [28]

Однако его коллекторный ток начинает уменьшаться через некоторое время, необходимое для выхода транзистора из насыщения за счет рассасывания избыточных неосновных носителей в области базы. Через время рассасывания рабочая точка транзистора Т2 переходит в активную область характеристик. С уменьшением коллекторного тока транзистора TZ начинает резко уменьшаться прямой базовый ток транзистора 7 и через время, необходимое для рассасывания неосновных носителей в области базы, последний также выходит из насыщения, а коллекторный ток транзистора TI также начинает уменьшаться. Стадия подготовки, длительность которой примерно соответствует времени рассасывания неосновных носителей в области баз транзисторов, оканчивается в тот момент, когда рабочие точки транзисторов Т и TZ будут находиться в активной области характеристик, а коэффициент усиления петли обратной связи, повышаясь, превысит единицу. [29]

Малое время переключения объясняется тем, что V-МОП-транзисторы работают на основных носителях и поэтому нет свойственного насыщенным биполярным транзисторам рассасывания избыточных неосновных носителей. Это преимущество особо существенно для нагрузок с изменяемым током нагрузки: с уменьшением тока нагрузки возрастает глубина насыщения биполярных транзисторов. [30]

Страницы: 1 2 3 4