Cтраница 1
![]() |
Зонная диаграмма для объяснения динамики фотопотемнения 1142 ]. 1 - проводящие состояния. II - локализованные состояния. III - состояния, отвечающие За фотопотемнение. [1] |
Возбужденные носители движутся по подвижным состояниям и захватываются неподвижными глубокими локализованными состояниями, после чего постепенно релаксируют до уровня фотопотемнения с относительно большим временем затухания 70 мкс. [2]
Рекомбинация возбужденных носителей тока происходит главным образом через локальные уровни внутри запрещенной зоны. При этом скорость рекомбинации определяется поперечным сечением захвата электронов и дырок, которое имеют создающие эти уровни центры. Поэтому изучение рекомбинации дает сведения об этих центрах. Следует ожидать ( в целом это подтверждается экспериментальными данными), что положительно заряженные дефекты имеют малое сечение захвата для дырок и большое для электронов, и наоборот. Таким образом, определение поперечного сечения захвата отдельных центров для электронов и дырок дает представление о заряде этих центров. Однако для определения поперечного сечения захвата индивидуальных центров требуется довольно сложный анализ процессов затухания. В этих случаях как из спектрального распределения возбуждения люминесценции, так и из характера самой люминесценции можно получить данные по энергетическим уровням системы. [3]
Для изучения динамики возбужденных носителей в аморфных полупроводника: применялся метод пикосекундной нестационарной дифракционной спектроскопии С ее помощью внесена определенная ясность в динамику процесса фотопотемнени. [4]
Вероятно, при ГГС термически возбужденные носители зарядов перемещаются в электрическом поле гомозаряда и нейтрализуют заряд на поверхности. То же самое может происходить, если носители, образующие гомозаряд, движутся сами. [5]
![]() |
Зависимость относительного электретного потенциала от температуры при равномерном повышении температуры.| Зависимости потенциала поверхности электрета от температуры при. [6] |
Вероятно, при ТТС термически возбужденные носители зарядов перемещаются в электрическом поле гомозаряда и нейтрализуют заряд на поверхности. То же самое может происходить, если носители, образующие гомозаряд, движутся сами. [7]
Результаты обсуждаются в рамках модели многократного захвата возбужденных носителей. [8]
Рассмотрим проводимость, создаваемую в химически чистом германии термически возбужденными носителями тока. Она называется истинной, или собственной, проводимостью, так как является свойством химически чистого вещества. Минимальная энергия, необходимая для освобождения электрона из атома и его дальнейшего свободного движения по кристаллу, равна некоторой величине Ек. [9]
После этого через время порядка 10 - 9 с возбужденные носители рекомбинируют, порождая фотоны флуоресценции 13, энергия которых больше, чем энергия фотонов излучения лазерной накачки И. [11]
Предположим, что мы освещаем полупроводник светом и измеряем шумовой ток возбужденных носителей в отсутствие приложенного поля. [12]
Чем сильнее световой поток, которым облучается фотодиод, тем выше концентрация возбужденных носителей заряда вблизи запорного слоя и тем больше фототек / ф через диод. [13]
![]() |
Основные характеристики материалов A BV для фотоприемников. [14] |
Фотовольтаический эффект заключается в возникновении ЭДС под действием света в результате пространственного разделения возбужденных носителей заряда электрическим полем на границе двух контактирующих материалов. [15]