Возбужденный носитель

Cтраница 3

Для составляющей быстрого спада график зависимости обратной величины постоянной времени спада 1 / Г от параметра 4тг2 / Л2 показан на рис. 3.6.4 при различных периодах дифракционной решетки. Поскольку постоянная времени спада не зависит от периода решетки, из этого графика следует, что постоянная времени быстрого спада, равная 100 пс, непосредственно относится к времени релаксации возбужденных носителей. [31]

Зависимость обратного времени 5. [32]

Для составляющей быстрого спада график зависимости обратной величины постоянной времени спада 1 / Т от параметра 4тг2 / Л2 показан на рис. 3.6.4 при различных периодах дифракционной решетки. Поскольку постоянная времени спада не зависит от периода решетки, из этого графика следует, что постоянная времени быстрого спада, равная 100 пс, непосредственно относится к времени релаксации возбужденных носителей. [33]

Спектр поглощения кристаллической закиси меди. пики. [34]

Существование электронно-дырочной жидкости было предсказано в 1968 Л. В. Келдышем, ее эксперим. Переход газ-жидкость является фазовым переходом первого рода и характеризуется наличием критич. В условиях, когда возбужденных носителей заряда в полупроводнике не хватает для заполнения всего образца жидкостью, электронно-дырочная жидкость существует в виде капель, форма к-рых благодаря поверхностному натяжению близка к сферической. Электронно-дырочная жидкость может течь по кристаллу, ее капли легко ускоряются внеш. [35]

Рабочая точка А выбирается в предпробойной области на ВАХ фотодиода. С увеличением потока излучения концентрация оптически возбужденных носителей растет, их заряд компенсирует объемный заряд ионов в обедненной области перехода, электрическое поле перехода уменьшается, область лавинного размножения ЛО сужается и, следовательно, коэффициент лавинного размножения падает. Ток увеличивается, и на последовательном сопротивлении фотодиода rs возрастает падение напряжения. С увеличением светового потока падает предельно возможное значение М, так как средняя напряженность электрического поля в переходе и толщина ЛО уменьшаются. ВАХ в этой области становится более пологой, хотя ток через диод и возрастает. В точке А ( рис. 7.14) отношение / ф / / 0бРЛ41 есть коэффициент усиления лавинного фотодиода. С увеличением потока Ф значение М падает из-за уменьшения крутизны обратной ветви ВАХ. [36]

С ее помощью внесена определенная ясность в динамику процесса фотопотемнения халькогенидного стекла А5г83, а также в динамику носителей в оптически освещенном a - Si: H, полученном в ТР. Динамическое поведение процесса фотопотемнения заключается в том, что возбужденные носители диффундируют в подвижных состояниях и релаксируют до состояния фотопотемнения с участием локализованных состояний вблизи середины запрещенной зоны. Быстрая пикосекундная релаксация обнаружена в a - Si: Н, освещенном светом. Она объясняется в рамках механизма многократного захвата с учетом мелких и глубоких локализованных состояний, действие которого усиливается после оптического освещения. [37]

Для изучения динамики возбужденных носителей в аморфных полупроводника: применялся метод пикосекундной нестационарной дифракционной спектроскопии С ее помощью внесена определенная ясность в динамику процесса фотопотемнени. Динамическое поведение процесса фотопотем нения заключается в том, что возбужденные носители диффундируют в подвижных состояниях и релаксируют до состояния фотопотемнения с участием локализованных состояний вблизи середины запрещенной зоны. Быстрая пикосекундная релаксация обнаружена в a - Si: II, освещенном светом. Она объясняется в рамках механизма многократного захвата с учетом мелких и глубоких локализованных состояний, действие которого усиливается после оптического освещения. [38]

Наряду с описанным выше механизмом изменения показателя преломления в полупроводниковых кристаллах реализуются и другие нелинейные механизмы. Другая причина изменения показателя преломления связана с переходами свободных носителей внутри зоны проводимости. За счет этих переходов реализуется тепловая нелинейность, так как возбужденный носитель, термализуясь, греет кристаллическую решетку. Другая причина заключается в непараболичности зоны. Кроме указанных механизмов, изменение показателя преломления может быть связано с рождением экситонов, особенно при низкой температуре. [39]

В большинстве экспериментов при вычислении времени жизни через абсолютные величины ФП - и ФЭМ-напряжений квантовый выход полупроводника принимался равным единице. Тауц и Абрагам предположили, что дополнительные электронно-дырочные пары образуются путем ударной ионизации первично возбужденными носителями. [40]

Все эти примеси создают в германии двойные акцепторные уровни, которые могут быть дважды заряжены подходящим контрлегирова-пием в процессе роста кристалла. Присутствие дважды отрицательно заряженных центров обусловливает возможность захвата дырок и как следствие-высокую фоточувствительность и эффект гашения, наблюдаемые в электронных образцах. Энергетическая модель с двумя акцепторными уровнями качественно описывает также результаты исследования постоянной Холла ( с оптически возбужденными носителями [2]) и рассеяния на заряженной примеси, а также переходные явления. [41]

Поглощение энергии свободными носителями не меняет их концентрацию, но увеличивает подвижность. Соответственно при этом механизме поглощения фотопроводимость называется - фотопроводимостью. Свободные носители при нормальной температуре отдают поглощенную энергию решетке через 10 - 10 - 10 - 12 с - время жизни возбужденных носителей. [42]

В экспериментах по фотолюминесценции ( ФЛ) всегда возбуждается одинаковое число электронов и дырок. Поскольку концентрации собственных носителей п и р обычно очень малы, сравнительно легко путем оптического возбуждения создать в собственном полупроводнике достаточно носителей пе пп п р для того, чтобы п и pi стали пренебрежимо малы. Если сохранение волнового вектора не является необходимым условием ( что может быть связано с присутствием дефектов), то вероятность излучательной рекомбинации ( l / Vraci) для каждого оптически возбужденного носителя равна п / тг), где п пе пп. [43]

К становится меньше, чем при комнатной температуре, и что составляющая быстрого спада не зависит от температуры и интенсивности возбуждающего света. Однако экспериментальные результаты удовлетворительно объясняются в рамках модели многократных захватов, в которой учитывается тот факт, что после освещения увеличивается плотность мелких и глубоких локализованных состояний. Кроме того, в этой модели пренебрегают диффузионными членами, относящимися к возбужденным носителям, и вероятностью повторного возбуждения носителей с глубоких уровней, так как в пикосекундном режиме диффузии носителей не наблюдается ( рис. 3.6.10), а повторное возбуждение носителей с глубоких локализованных - состояний пренебрежимо мало. [44]

Принцип работы фоторезистора и схема его включения поясняются на рис. 7.22, а. При световом потоке Ф 0 сопротивление фоторезистора порядка 106 - 107 Ом. Рассмотрим принцип работы на примере импульсного воздействия. Импульс светового потока ( рис. 7.22, б) генерирует в фоторезисторе Кф оптически возбужденные носители, снижающие его сопротивление на время жизни носителя. Пропорционально световому потоку возрастает на значение / ф ток во внешней цепи. [45]

Страницы: 1 2 3 4