Неравновесный носитель

Cтраница 2

Пары неравновесных носителей диффундируют в направлении эмиттерного и коллекторного переходов и разделяются полями этих переходов, изменяя их токи. [16]

Распределение неравновесных носителей по энергиям в энергетической зоне по существу не отличается от равновесного. Поэтому подвижности неравновесных носителей, их вероятности рекомбинаций и другие характеристики являются совпадающими в среднем с соответствующими характеристиками равновесных носителей тока. [17]

Изменение избыточной концентрации во времени [ IMAGE ] - 15. Изменение избыточной концентрации в пространстве. [18]

Рекомбинация неравновесных носителей происходит внутри полупроводника и на его поверхности и сильно зависит от примесей, а также от состояния поверхности. Значения т для германия и кремния в различных случаях могут быть от долей микросекунды до сотен микросекунд и более. [19]

Распределение неравновесных носителей в базе диода в различные моменты времени. [20]

Накопление неравновесных носителей в приконтактных областях р-и-перехода связано с зарядом диффузионной емкости, а рассасывание неравновесного заряда соответствует разряду этой емкости. [21]

Заряд неравновесных носителей состоит из заряда дырок Qp в коллекторе и электронов Qng / в базе. Основную часть составляет заряд QpK вследствие Ркгр Бгр, большей толщины области коллектора и большего эффективного времени жизни неосновных носителей в коллекторе тКэф по сравнению с базой. [22]

Процессы установления обратного тока. [23]

Накопление неравновесных носителей при прохождении прямого тока и конечное время их рассасывания после выключения прямого Тока сказываются на импульсных свойствах диодов в схемах переключения. [24]

Накопление неравновесных носителей в базовых областях равносильно дополнительной разности потенциалов на коллекторном переходе, которая в отличие от внешней разности потенциалов стремится сместить коллекторный переход в прямом направлении. [25]

Разделение неравновесных носителей заряда на потенциальном барьере р-п-перехо-да при поглощении квантов света. [26]

Накопление неравновесных носителей в соответствующих областях не может продолжаться беспредельно, так как одновременно с накоплением дырок в р-области и электронов в n - области происходит понижение высоты потенциального барьера на значение возникшей фото - ЭДС. Уменьшение высоты потенциального барьера или уменьшение суммарной напряженности электрического поля в p - n - переходе ухудшает разделительные свойства перехода. [27]

Вклад неравновесных носителей тока в электропроводность n - области сильно зависит от значения диффузионной длины. [28]

При этом неравновесные носители могут уходить из области базы также через эмиттер ( эмиттерное рассасывание), запирающий потенциал базы повышается и передается коллектору в виде выброса напряжения, противоположного полярности источника, питающего коллекторную цепь. На время эмиттерного рассасывания ток коллектора увеличивается сверх значения / к. У транзисторов, изготовляемых методами диффузии примесей и не предназначенных для работы в быстродействующих переключающих схемах, время рассасывания может быть больше определяемого ф-лой ( 2 - 184) вследствие накопления избыточных носителей в объеме вы-сокоомной коллекторной области. [29]

Структура транзистора, положенного в основу рас. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5