Неравновесный носитель
Cтраница 3
Время жизни неравновесных носителей не меняется с уровнем инжекции. [31]
Из-за инерционности неравновесных носителей в базе их объемный заряд не может мгновенно исчезнуть. Поэтому, несмотря на перемену знака приложенного напряжения, диод еще некоторое время продолжает оставаться открытым ( точки 5 и 6), через него в обратном направлении протекает большой ток / да обусловленный рассасыванием избыточных носителей под действием приложенного обратного напряжения. По мере убывания концентрации избыточных носителей в базе диода обратный ток убывает, стремясь в пределе при ttB к установившейся величине обратного тока диода / Обр, определяемого статическими характеристиками. [32]
 |
Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [33] |
Время накопления неравновесных носителей в базе диода зависит от времени жизни неосновных носителей. Для снижения времени накопления применяется диффузия золота. При этом время жизни неосновных носителей составляет примерно 10 не. Однако диффузия золота снижает коэффициент усиления и транзисторы могут иметь большую задержку включения. [34]
При движении неравновесных носителей через молекулярный кристалл как дрейфовая, так и перескоковая подвижность по абсолютной величине могут быть меньше единицы и активацион-но увеличиваются с повышением температуры. Однако перескоковая подвижность гораздо менее чувствительна к различного рода структурным дефектам, которые оказывают решающее влияние на характеристики дрейфовой подвижности. [35]
Благодаря диффузии неравновесных носителей в полупроводниках может наблюдаться электрический ток даже в отсутствие электрического поля. Однако за счет диффузионного механизма распространение тока от одной точки объема полупроводника к другой происходит со скоростью перемещения самих носителей, а не со скоростью распространения электрического поля, а потому отличается заметной инерционностью. [36]
Время жизни неравновесных носителей ограничено - постепенно их концентрация уменьшается как за счет рекомбинации, так и за счет ухода через р-п переход. Поэтому через некоторое время ( т на рис. 6.11, в) неравновесные неосновные носители исчезнут; обратный ток восстановится до нормального значения / Обр. [37]
Процесс генерации неравновесных носителей быстрыми электронами носит многоступенчатый характер. Первичные электроны, взаимодействуя с твердым телом, теряют свою энергию в осн. Электроны, образующиеся в результате ионизации и оже-эффекта, могут обладать энергией, достаточной для осуществления последующих актов ионизации и создания электронно-дырочных пар. [38]
Одновременно с этим неравновесные носители диффундируют в направлении р-я-перехода, который они свободно проходят под действием электрического поля. Поэтому обратный ток в начальный момент после переключения ( / з -) оказывается значительным, а обратное сопротивление диода - примерно равно сопротивлению базы. [39]
После прекращения освещения неравновесные носители реком-бинируют и их концентрация уменьшается вплоть до того момента, когда в полупроводнике установится равновесное состояние. [40]
Оптический сигнал генерирует неравновесные носители в базовых областях 5 и 6 фототиристора, образующих р-п-переход, смещенный внешним источником Еа в обратном направлении. Носители разделяются электрическим полем р-п-пе-рехода. Через переход протекает фототок, а в базовых областях 5 и 6 накапливаются основные носители, понижающие потенциальный барьер эмиттерных переходов. Снижение потенциального барьера повышает инжекцию носителей из эмиттеров в базы. Фототиристор остается во включенном состоянии после окончания импульса светового потока. [41]
Световой поток генерирует неравновесные носители в области затвора 3 и p - n - перехода затвор - канал. Электрическое поле этого перехода разделяет неравновесные носители. [42]
В некоторых случаях неравновесные носители могут проникнуть в пассивную область базы на расстояние нескольких диффузионных длин от активной области базы. По мере того как концентрация неравновесных носителей в активной области базы начинает спадать, начинается приток неравновесных носителей в активную область базы из пассивной области базы. [43]
Анализ параметров распределения неравновесных носителей в базе в зависимости от их концентрации показал [118], что люкс-амперные характеристики таких фототранзисторов в зависимости От типа структуры и физических параметров полупроводника базовой области могут быть самыми разнообразными. При достаточно больших смещениях на ВАХ три-одных структур появляется участок отрицательного дифференциального сопротивления. [44]
Вычислим время жизни неравновесных носителей при прямой излучательной рекомбинации. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5