Cтраница 1
Отрицательная обкладка этого двойного электрического слоя образуется оставшимися вблизи поверхности металла свободными электронами. Силовое поле двойного электрического слоя, образующееся на границе раздела сред, препятствует такому переходу, оно отталкивает ионы металла в направлении к металлу. Таким образом, когда ионы металла переходят из металла в раствор, они должны совершать работу против сил поля, создаваемого двойным электрическим слоем. Эта работа ( L - AG), энергия для которой черпается из разности свободных энергий, тем больше, чем больше разность потенциалов двойного электрического слоя АЕ. Протекание электрохимического коррозионного процесса возможно при условии АЕ 0 или Uoa UOK, т.е. для разрушения металла необходимо присутствие окислителя-деполяризатора, окислительно-восстановительный потенциал которого положительное обратимого потенциала самого металла в данном электролите. [1]
![]() |
Двойной электрический слой на поверх - электрического ности электрода. [2] |
Отрицательная обкладка такого двойного электрического слоя образуется оставшимися вблизи поверхности металла свободными электронами. [3]
В электролитическом конденсаторе отрицательной обкладкой служит электролитический раствор, разделяющий оксидный слой и катод; поэтому сопротивление слоя электролита подключено последовательно к емкости оксидного слоя. [4]
Электролит выступает в качестве отрицательной обкладки конденсатора. [5]
Для осуществления контакта с отрицательной обкладкой на корпусе имеется специальный лепесток, приваренный или припаянный к корпусу. [6]
![]() |
Герметизированные электролитические конденсаторы. [7] |
Для осуществления контакта с отрицательной обкладкой конденсатора на корпусе имеется специальный лепесток, приваренный или припаянный к корпусу. [8]
Линии тока смещения направлены от отрицательной обкладки к положительной и являются продолжением линий тока в проводнике. [9]
![]() |
Незатухающие колебания ( и и затухающие колебания ( б. [10] |
Смакс Д нуля соответствует перемещению электронов от отрицательной обкладки к положительной. При разряде конденсатора этот процесс перемещения зарядов не заканчивается, так как энергия магнитного поля не может мгновенно исчезнуть, потому что ток в цепи с индуктивностью не может скачком упасть до нуля. В цепи продолжает протекать ток, постепенно уменьшающийся по величине. Наличие этого тока означает продолжающееся перемещение электронов с бывшей ранее отрицательной обкладки конденсатора на обкладку, ранее заряженную положительно. В результате первая обкладка начинает заряжаться положительно, а вторая - отрицательно. Процесс перезаряда продолжается до тех пор, пока вся энергия магнитного поля не преобразуется в энергию электрического поля и конденсатор не зарядится до напряжения, по величине равного начальному, но противоположному по знаку. [11]
Жидкостная обкладка имеет более положительный заряд относительно поверхности электрода, представляющей отрицательную обкладку. [12]
Процесс уменьшения напряжения конденсатора от первоначального значения до нуля соответствует переносу Электронов с отрицательной обкладки на положительную. Разрядкой конденсатора этот процесс не заканчивается, так как ток в цепи с индуктивностью не может скачком упасть до нуля. В цепи продолжает протекать ток прежнего направления, но уменьшающийся по величине. Наличие этого тока означает перенос электронов с бывшей ранее отрицательной обкладки на обкладку, ранее заряженную положительно, благодаря чему первая начнет заряжаться положительно, а вторая - отрицательно. [13]
Соответственные отрицательные ионы останутся в растворе в непосредственной близости от металла и образуют отрицательную обкладку двойного слоя, притяжение которого, слагаясь с электролитической упругостью растворения, и уравновесит осмотическое давление. [14]
Процесс уменьшения напряжения конденсатора от первоначального значения Uu до нуля соответствует перемещению электронов с отрицательной обкладки на положительную. В цепи продолжает протекать ток прежнего направления, постепенно уменьшающийся по величине. Наличие этого тока означает продолжающееся перемещение электронов с бывшей ранее отрицательной обкладки на обкладку, ранее заряженную положительно, в результате первая обкладка начинает заряжаться положительно, а вторая - отрицательно. [15]