Отрицательная обкладка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
И волки сыты, и овцы целы, и пастуху вечная память. Законы Мерфи (еще...)

Отрицательная обкладка

Cтраница 2


На схемах положительную обкладку электролитического конденсатора изображают прямоугольником, который в отличие от прямоугольника отрицательной обкладки не зачерняют. Рядом могут стоять знаки и -, обозначающие полярность конденсатора.  [16]

Соответствующие ионы SO4 останутся в слое раствора, непосредственно прилегающем к металлу, и образуют отрицательную обкладку двойного слоя. Ионы металла будут выходить из раствора и осаждаться на металле до тех пор, пока работа, производимая против сил поля двойного электрического слоя, будет точно соответствовать разности свободных энергий ионов металла в растворе и в металле.  [17]

18 Электролитические конденсаторы в цилиндрических алюминиевых корпусах. [18]

При закатке катодный вывод прижимается крышкой и резиновой шайбой к стенке корпуса, обеспечивая электрический контакт отрицательной обкладки конденсатора с корпусом.  [19]

Соответствующие ионы S042 - останутся в слое раствора, непосредственно прилегающем к металлу, и образуют отрицательную обкладку двойного слоя. Ионы металла будут выходить из раствора и осаждаться на металле до тех пор, пока работа L, производимая против сил поля двойного электрического слоя, будет точно соответствовать разности свободных энергий ионов металла в растворе и металле.  [20]

21 Строение двойного слоя электрических зарядов на границе металл-раствор. [21]

Под действием этого заряда электроны расположатся в непосредственной близости от поверхности проволоки, образуя в вакууме отрицательную обкладку двойного слоя. Положительную обкладку создают ионы вольфрама, находящиеся на поверхности.  [22]

Под действием электрического поля полярные молекулы ориентируются таким образом, что их положительные концы обращены к отрицательной обкладке конденсатора, а отрицательные - к положительной, компенсируя при этом часть его зарядов. Степень ориентации молекул растет с напряженностью поля и при высоких полях, когда все молекулы диэлектрика оказываются ориентированными, его реакция на электрическое поле формально не будет отличаться от реакции вакуума. В этих условиях достигается состояние, называемое диэлектрическим насыщением, и диэлектрическая проницаемость вещества приближается к единице. Ориентирующему действию поля противодействует тепловое движение частиц. При равной напряженности поля степень ориентации будет тем меньше, а состояние диэлектрического насыщения достигается тем позже, чем выше температура.  [23]

ЭДС), знак соответствует случаю, когда источник проходится в направлении действия сторонних сил ( от отрицательной обкладки к положительной), знак в - - противоположному случаю.  [24]

Под действием электрического поля полярные молекулы ориентируются таким образом, что их положительные конць: обращены к отрицательной обкладке конденсатора, а отрицательные - к положительной, компенсируя при этом часть его зарядов. Степень ориентации молекул растет с напряженностью поля и при высоких полях, когда все молекулы диэлектрика оказываются ориентированными, его реакция па электрическое поле формально не будет отличаться от реакции вакуума. В этих условиях достигается состояние, называемое диэлектрическим насыщением, и диэлектрическая проницаемость вещества приближается к единице. Ориентирующему действию поля прО иводействует тепловое движение частиц. При равной напряженности поля степень ориентации будет тем меньше, а состояние диэлектрического насыщения достигается тем позже, чем выше температуря.  [25]

Два конденсатора с емкостями С ] и С2, обладающие зарядами q и q2, включаются в замкнутую цепочку так, что положительная обкладка одного конденсатора соединяется с отрицательной обкладкой другого.  [26]

27 Осциллограммы напряжений и токов в различных узлах схемы. [27]

В момент / 2 напряжение на тиристоре 7Т2 ( рис. 138, г) при его включении уменьшается до значения At / aK, напряжение на аноде тиристора ТРг в этот же момент резко изменяет знак ( рис. 138, в), так как анод этого прибора оказывается присоединенным к отрицательной обкладке конденсатора.  [28]

29 Схема строения адсорбционного двойного электрического слоя на границе раздела фаз вода - воздух. [29]

Анионы примеси оказываются связанными положительными зарядами ориентированных поверхностных диполей и, в свою очередь, обусловливают связь диффузионного слоя катионов с поверхностью. Неподвижная отрицательная обкладка прилегает непосредственно к границе раздела фаз, а положительная располагается в более удаленном от поверхности слое жидкости. Поэтому при разбрызгивании воды мельчайшие капельки, срывающиеся непосредственно с поверхности, заряжаются преимущественно отрицательно.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5