Cтраница 1
Область пластины - / х 0 содержит материал с параметрами К, PI, clf xlf vit а область 0ха - другой материал, с параметрами / С2, Р2 С2 14 V2 - Начальная температура равна нулю. При t 0 плоскость х - / поддерживается при постоянной температуре V, а плоскость х 0 - при нулевой температуре. [1]
Область пластины - / х 0 содержит материал с параметрами К, pi, cu x:, г ь а область 0ха - другой материал, с параметрами Кг, Pa. Начальная температура равна нулю. При t 0 плоскость х - / поддерживается при постоянной температуре V, а плоскость х 0 - я / и нулевой температуре. [2]
В области ОФД пластины ( 210) имеет место изоструктурный фазовый переход ( ИФП) между фазами, относящимися к одной группе симметрии. [3]
По мнению авторов, в краевых областях пластины поля смещений не удовлетворяют, как правило, гипотезе прямых нормалей, что приводит к существенному искажению напряженного состояния в этих местах. Указанные возмущения быстро затухают по направлению нормали к границе области. [4]
При решении данной задачи предполагалось, что вся область пластины испытывает продольно-поперечный изгиб. [5]
SiIf в результате для яЛвангормоничвские обертоны не захватываются в подалектродно; области пластины. [6]
На рис. XI-2 изображено распределение термодинамической температуры и температуры торможения в пристеночной области теплоизолированной пластины. [7]
Однако в количественном отношении аппроксимационная формула хорошо описывает результаты измерений в пристенной области проницаемой пластины и хуже в ядре пограничного слоя. [8]
Из графиков видно, что усилие Nr непрерывно и является растягивающим во всей области пластины, Усилие Ny переходит из области растяжения в область сжатия. В случае ступенчатой пластинки оно претерпевает разрыв на границе сопрягаемых элементов. Усилия Л / г достигают наибольшего значения в центре пластинки, в то время как усилия Л - на краевой поверхности пластинки. [9]
Используя основные уравнения, выведенные при рассмотрении первого и второго случаев, и краевые условия, получаем уравнения интенсивностей изгибающих моментов и скоростей угла поворота в двух областях пластины. [10]
Среднее напряжение вблизи вершины трещины в образцах графито-эпоксидного композита с а / Л 5. [11] |
Хр Xj и параметров жесткости слоистого композита; Ds и В2 - константы, зависящие от параметров жесткости слоистой среды [39]; а и а - эффективные коэффициенты теплового расширения в направлении областей пластины соответственно с трещиной и без трещины. Они являются функциями параметров жесткости слоистой среды, результирующей сил и результирующей моментов, возникающих в результате теплового воздействия. [12]
Положительными считаются: а) активные нагрузки и моменты, совпадающие по направлению с показанными на приведенных ниже схемах нагружения пластин; б) нормальные напряжения растяжения; в) изгибающие моменты, которым соответствует растяжение волокон в области пластины с положительными значениями координаты г; г) перемещения в положительном направлении координатных осей. [13]
От указанных выше недостатков свободен конденсатор типа МОП, показанный на рис. 12.48. Диэлектриком в таком конденсаторе является термически выращенная пленка двуокиси кремния. Одним из электродов является сильнолегированная область пластины, лежащая под окислом. Высокоомный п-слой используется в основном для изоляции л-слоя от подложки р-типа. Емкость конденсатора типа МОП зависит в основном от площади и толщины окисной пленки. Так, например, при толщине окисного слоя 0 1 мкм удельная емкость будет составлять примерно 0 4 мкФ / см2 и пробивное напряжение свыше 50 В. [14]
Очевидно, что применение одномерного варианта МГЭ имеет свою золотую середину. Наибольший эффект может быть достигнут там, где область пластины хорошо описывается набором прямоугольных и круглых элементов. Там же, где область пластины требует разбиения на большое число круглых и прямоугольных элементов, эффективность метода снижается. В этой связи одномерный вариант МГЭ должен занимать полагающееся ему место в ряду других методов расчета пластинчатых систем. [15]