Cтраница 1
![]() |
Области максимальных режимов при различных температурах корпуса.| Зависимость теплового. [1] |
Область максимальных режимов в справочнике приводится, как правило, при температуре корпуса Тк ], при которой обеспечивается максимальная мощность рассеивания. [2]
![]() |
Области максимальных режимов при различных температурах корпуса.| Зависимость теплового. [3] |
Область максимальных режимов в справочнике приводится, как правило, при температуре корпуса ТкЬ при которой обеспечивается максимальная мощность рассеивания. [4]
![]() |
Область максимальных режимов мощного биполярного транзистора.| Зависимость постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры. [5] |
Область максимальных режимов в справочнике приводится, как правило, при температуре корпуса 7 К1, при которой обеспечивается максимальная мощность рассеивания. [6]
Область максимальных режимов для КТ504В ограничивается напряжением коллектор-эмиттер 230 В. [7]
Область максимальных режимов в справочнике приводится, как правило, при температуре корпуса TKt, при которой обеспечивается максимальная мощность рассеивания. [8]
![]() |
Области максимальных режимов при различных температурах корпуса.| Зависимость теплового. [9] |
Область максимальных режимов в справочнике приводится, как правило, при температуре корпуса Т, при которой обеспечивается максимальная мощность рассеивания. [10]
![]() |
Область максимальных режимов [ IMAGE ] Зависимость импульсного тепло-мощного биполярного транзистора вого сопротивления переход-корпус от. [11] |
Импульсную область максимальных режимов приводят обычно для большой скважности Q0, при которой практически отсутствует перегрев структуры транзистора. [12]
К) определяется из области максимальных режимов. [13]
Ягл-к, определяется из области максимальных режимов. [14]
Эксплуатация транзисторов за пределами областей максимальных режимов ( открытое состояние), в том числе с учетом процессов, происходящих при включении и выключении, запрещается. [15]