Cтраница 2
Эксплуатация транзисторов за пределами областей максимальных режимов ( открытое состояние), в том числе с учетом процессов, происходящих при включении и выключении, запрещается. [16]
Эксплуатация транзисторов за пределами областей максимальных режимов ( открытое состояние), в том числе с учетом процессов, происходящих при включении и выключении, запрещается. [17]
Зтрт - ю определяется из области максимальных режимов. [18]
Запрещается даже кратковременная работа транзистора вне области максимальных режимов. [19]
Де т щчо - определяется из области максимальных режимов. [20]
Запрещается даже кратковременная работа транзистора вне области максимальных режимов. [21]
Эксплуатация транзисторов в режимах за пределами областей максимальных режимов, в том числе с учетом процессов, происходящих при включении и выключении, запрещается. При работе в импульсном режиме при отсутствии открывающего импульса транзистор должен быть закрыт положительным смещением базы 0 5 В 1 / БЭ 2 В. [22]
На рис. 2.5 приведен типичный вид области максимальных режимов, мощного биполярного транзистора. [23]
Эксплуатация транзисторов в режимах за пределами областей максимальных режимов ( в том числе с учетом процессов, происходящих при включении и выключении) запрещается. При работе в импульсном режиме при отсутствии открывающего импульса транзистор должен быть закрыт положительным смещением базы 0 5 В UB3 2 В. [24]
Эксплуатация транзисторов в режимах за пределами областей максимальных режимов, в том числе с учетом процессов, происходящих при включении и выключении, запрещается. [25]
Ят п, к - определяется из области максимальных режимов. [26]
ЯТп-к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов. [27]
Вт, где / ( п-ю - определяется из области максимальных режимов. [28]
Вт, где Л, р щ определяется из области максимальных режимов. [29]
Rr j, - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов. [30]