Область - рекомбинация
Cтраница 2
 |
Зонная диаграмма лазерной двусторонней гетер остр у ктуры ( 99, в при термодинамическом равновесии ( а и в режиме генерации ( б. [16] |
Штрихами отмечены те же величины, но для негенерирующих частей области рекомбинации диода. Величина ц равна отношению разности электронных токов в я - и р-областях на значительном удалении от р - n - перехода к полному току через диод. Лазерные диоды имеют высокую концентрацию легирующих примесей ( 1018 - 1020 см-3), поэтому т) 1 и в дальнейшем значение т) полагается равным единице. Интегрирование (20.3) проводится по генерирующей и негенерирующей частям диода. [17]
 |
Зависимости коэффициентов передачи тока в латеральном р - л-р-транзнсторе от параметров структуры ( а и режима ( б. [18] |
Влияние поверхности на величину рр становится заметным лишь при скоростях поверхностной рекомбинации, превышающих 103 см / с. При увеличении уровня инжекции дырки заливают границу эпитаксиальная пленка - скрытый слой и проникают в область повышенной рекомбинации, что приводит к спаду рр. [19]
В этих работах три рекомбини-рующих атома рассматриваются как члены канонического ансамбля. Объем фазового пространства, в котором могут находиться эти три частицы, можно разделить на две области: область рекомбинации, в которой два атома рекомбинируют в присутствии третьего, и свободную область, в которой все три атома сосуществуют независимо. Задача состоит в следующем: если в нулевой момент времени три атома находятся в свободной области, то какова вероятность того, что по истечении некоторого времени частицы будут находиться в области рекомбинации фазового пространства. Поскольку траектории трех атомов представляют собой линию в фазовом пространстве, скорость реакции можно представить как число траекторий, которые из свободной области входят в область рекомбинации. [20]
Для всех подобных систем характерна низкая эффективность излучения, особенно при комнатной температуре. По мнению авторов упомянутых работ, это связано с рекомбинационными потерями на границе раздела фаз в гетероструктуре и экстракцией основных носителей из области излучателыюй рекомбинации. [21]
При токах ниже порогового ближнее поле спонтанного излучения во всех диодах однородно. С началом генерации в области р - n - перехода возникает одна или несколько генерирующих точек, интенсивность излучения которых заметно превышает интенсивность люминесценции в остальной части области рекомбинации. [22]
В этих работах три рекомбини-рующих атома рассматриваются как члены канонического ансамбля. Объем фазового пространства, в котором могут находиться эти три частицы, можно разделить на две области: область рекомбинации, в которой два атома рекомбинируют в присутствии третьего, и свободную область, в которой все три атома сосуществуют независимо. Задача состоит в следующем: если в нулевой момент времени три атома находятся в свободной области, то какова вероятность того, что по истечении некоторого времени частицы будут находиться в области рекомбинации фазового пространства. Поскольку траектории трех атомов представляют собой линию в фазовом пространстве, скорость реакции можно представить как число траекторий, которые из свободной области входят в область рекомбинации. [23]
Цо сравнению с простыми р - n - переходами гетерострукту-ры, особенно двойные, обладают двумя важными преимуществами, которые обеспечивают более низкий порог генерации при комнатной температуре. Поэтому инжектированные в активную область носители находятся в потенциальной яме. Потенциальные барьеры гетеропереходов препятствуют растеканию области рекомбинации за пределы активного слоя. Во-вторых, гетероструктуры обладают значительно лучшими волноводными свойствами, чем активный слой р - - перехода. [25]
В этих работах три рекомбини-рующих атома рассматриваются как члены канонического ансамбля. Объем фазового пространства, в котором могут находиться эти три частицы, можно разделить на две области: область рекомбинации, в которой два атома рекомбинируют в присутствии третьего, и свободную область, в которой все три атома сосуществуют независимо. Задача состоит в следующем: если в нулевой момент времени три атома находятся в свободной области, то какова вероятность того, что по истечении некоторого времени частицы будут находиться в области рекомбинации фазового пространства. Поскольку траектории трех атомов представляют собой линию в фазовом пространстве, скорость реакции можно представить как число траекторий, которые из свободной области входят в область рекомбинации. [26]
В соответствии с ней область замороженного течения заменяется областью, в которой рассматривается только процесс рекомбинации. Модель равновесной рекомбинации дает хорошие результаты при расчете неравновесных течений газовых смесей с компонентами, концентрации которых стремятся к нулю далеко вниз по потоку. Ченг и Ли [376] показали, что в случае течения газа со значительной степенью диссоциации имеется достаточно обширная переходная область от течения почти равновесного к течению с определяющей ролью процессов рекомбинации. Область перехода можно разделить на две зоны. Зона течения, примыкающая к равновесной области течения, характеризуется небольшим отклонением от состояния равновесия. За ней следует узкая зона перехода в область рекомбинации. В случае течения с незначительной степенью диссоциации, по данным авторов работы [376], переходная область имеет небольшие размеры. [27]
Страницы: 1 2