Область - рекомбинация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Область - рекомбинация

Cтраница 1

Движение носителей в транзисторе типа р-п - р ( а и распределение концентрации носителей в нем ( б. [1]

Область рекомбинации, фактически занимающая весь объем базы, схематически представлена на рис. 2.14, а в виде пунктирного кружка. [2]

В экснтонном лазере полная энергия, высвобождаемая при рекомбинации экснтона, разделяется между световым квантом с энергией ftv и фотоном с энергией / ГУфотон. Поэтому энергии светового кванта недостаточно, чтобы снова образовался экситон, и процессы реабсорбции ( перепоглощения невозможны. [3]

Генерация происходит в области рекомбинации [ Я. [4]

Значения р, /, р и а для QaAs диффузионных диодов при Т 80 К. [5]

Как уже отмечалось [628], дифференциальный внутренний квантовый выход генерации определяется в основном неоднородностью области рекомбинации и прежде всего пятнистой структурой ближнего поля. Исследования показывают, что в результате термообработки уменьшается плотность дислокаций вблизи р - - перехода. Ближнее поле становится более однородным, и генерируют некоторые новые участки активной области, которые не генерировали до термообработки. [6]

Изображение участка солнечного элемента ITO - Si, полученное в растровом электронном микроскопе в режиме тока, наведенного электронным пучком. Поликристаллические слои Si изготовлены методом зонной очистки по способу Монсанто. Под оптическим микроскопом этот участок выглядит бесструктурным. При травлении выявляются ямки травления, которым на микрофотографии соответствуют темные точки на участке В. Появление черных точек обусловлено наличием электрически активных дислокаций в межкристаллитной области. Длинная сторона фотографии соответствует длине мм на образце [ фото с разрешения Inoue N.. Wilmsen С. W.. Jones К. A. / / Solar ( oIK. 1981, vol. 3 ]. [7]

Из-за большой концентрации дефектов и сегрегированных примесей на границе зерен и наличия локальных электрических полей, собирающих неосновные носители, межзеренные границы являются областями повышенной рекомбинации. Снижение значений основных характеристик солнечного элемента Jsc, Voc и / / за счет рекомбинации на этих границах сильно зависит от размера кристаллитов в поликристаллических слоях. На фотографии, полученной в режиме наведенного тока, электрически активные границы зерен выглядят темными. [8]

Рекомбинирующие электроны и дырки часть энергии получают за счет приложенного к р - n - переходу электрического поля, остальную энергию они приобретают в результате теплового разогрева, что приводит к охлаждению области рекомбинации. [9]

Схема ионизационной камеры. [10]

На участке от 0 до UA величина ионизационного тока при каком-либо постоянном значении интенсивности излучения пропорциональна величине приложенного напряжения. Эта область называется областью усиленной рекомбинации, или областью, подчиненной закону Ома. Здесь число пар ионов, уносимых током из газа, мало по сравнению с числом рекомбинирующихся ионов. Наклон характеристики на этом участке обусловлен давлением в камере. [11]

Потенциальные диаграммы бездрейфового транзистора p - n - р тша при отсутствии ( а и наличии ( б внешнего электрического поля. [12]

Электронная составляющая эмиттерного тока незначительна, так как концентрация электронов в базовой области обычно значительно ниже концентрации дырок в эмиттерной области. При достаточно тонкой базе область рекомбинации мала и базовый ток составляет I - т - 5 % от эмиттерного тока. [13]

Установление равновесного состояния на р n - переходе. а возникновение контакта между п - и р-областями. б-диффузия электронов в / - область, а дырок в л-область с образованием области положительного объемного заряда в и-области и отрицательного в / - области. - рекомбинация электронов и дырок в области объемного заряда. возникновение в результате рекомбинации слоя, обедненного подвижными носителями заряда, и достижение равновесия. [14]

Из глубины - области должно подойти пополнение, чтобы компенсировать дефицит электронов, вызванный рекомбинацией. В течение одной секунды в область рекомбинации поступает столько дырок и электронов, сколько рекомбинирует там за то же время. Все сказанное о дырках, поступивших из / - области в - область, справедливо в отношении электронов, перешедших из - области в / - область. Они рекомбинируют с дырками в - области. В итоге устанавливается результирующий ток, являющийся током рекомбинации, поскольку сила тока определяется скоростью рекомбинации электронов и дырок. Рекомбинация протекает сравнительно быстро, так как для этого не требуется энергия; наоборот, энергия может быть даже отдана. Поэтому ток рекомбинации является относительно сильным. [15]

Страницы: 1 2