Сильно легированная область

Cтраница 1

Сильно легированная область может быть получена вплав-лением, диффузией или ионной имплантацией соответствующей примеси. Такие области создают при формировании омических контактов в Ge, Si, GaAs и других полупроводниках. Однако в некоторых широкозонных полупроводниках получить их трудно вследствие эффекта компенсации примесей собственными дефектами противоположного знака. Инжекционные свойства контакта ослабевают при появлении реком-бинационных центров в области на границе раздела металл - полупроводник. Такой рекомбинационный, или нарушенный, слой можно создать путем введения примесей, являющихся эффективными центрами рекомбинации или за счет соответствующей обработки поверхности полупроводника. [1]

Сильно легированная область п обеспечивает получение низкого сопротивления тела коллектора, а тонкий высокоомный слой п позволяет снизить емкость коллекторного перехода и повысить его пробивное напряжение. [2]

Структуры полупроводниковых диодов.| Реальные структуры полупроводниковых диодов. [3]

Следовательно, количество неосновных носителей, инжектируемых из сильно легированной области в слабо легированную ( базу), значительно больше, чем в противоположном направлении ( см. § В. [4]

Статические характеристики полевого транзистора со встроенным каналом п-типа. [5]

Концентрация свободных носителей в канале значительно меньше, чем в сильно легированных областях истока и стока. Для уменьшения проходной емкости затвор-сток, улучшения ВЧ характеристик и уменьшения внутренней обратной связи, создаваемой пассивным сопротивлением области истока, в МДП транзисторах со встроенным каналом предпочитают затвор сдвигать в направлении к истоку. [6]

Прибор состоит из пластинки кремния с электропроводностью п-типа, представляющей собой канал полевого транзистора, на концах которого находятся сильно легированные области, называемые истоком и стоком. Напряжение источника питания имеет такую полярность, что поток основных носителей заряда ( в канале и-типа - электронов) перемещается от истока к стоку. В противоположные грани пластинки внесены акцепторные примеси, превращающие поверхностные слои в области полупроводника р-типа. Соединенные электрически вместе, эти слои образуют единый электрод, называемый затвором. При этом между каналом и затвором образуются два р-п-перехода. [7]

Выражения (1.70) и (1.71) показывают, что в несимметричном переходе, в котором одна область легирована намного сильнее другой, большая часть тока через переход переносится носителями, находящимися в сильно легированной области. [8]

Поперечное сечение кремниевой р - п - л - структуры силового диода при обратном смещении. [9]

В полупроводниковой электронике существует несколько способов снижения величины напряженности электрического поля Es на поверхности: созданием охранных р-п-переходов [49, 50] ( рис. 2.15, а); формированием охранных колец профилированием р-п - переходов с помощью прямой ( обратной) фаски ( рис. 2.15, б), при этом прямой фаской принято называть скос поверхности, при котором уменьшается объем сильно легированной области р - л - ( или п - р -) перехода. [10]

ПП, прилегающая к металлич. ННЗ в сильно легированной области ПП мала. [11]

Область вблизи контакта полупроводников с одним типом электропроводности, но с разной концентрацией примесей, обычно обозначают как р - р - или п - п-переход, причем значком отмечают полупроводник с большей концентрацией примесей ( рис. В. При этом в сильно легированной области нарушается компенсация заряда ионизированных примесей, в слабо легированной - создается избыток основных носителей ( рис. В. Последнее отличает объемный заряд в данном случае от образующегося в электронно-дырочном переходе. [12]

Структура МДП-конденсатора показана на рис. 13.18. Диэлектриком в таком конденсаторе является термически выращенная пленка двуокиси кремния. Одним из электродов является сильно легированная область пластины, лежащая под окислом, другим - пленка напыленного металла. Высокоомный / г-слой используют для создания изолирующего р-п-перехода. [13]

Идеальный омический контакт металла с полупроводниками проводимости п - ( а и р-типов ( б, а также контакт с полупроводником при наличии поверхностных энергетических состояний ( барьер Бардина ( в. В последнем случае характеристики контакта можно выразить не только через параметры поверхностных диполей, но и через плотность поверхностного заряда. [14]

Обычный способ создания такого контакта связан с сильным легированием тонкого полупроводникового слоя, прилегающего к металлу, обеспечивающим уменьшение толщины барьера до 10 нм. При формировании этой тонкой сильно легированной области необходимо предотвратить внедрение компенсирующих примесей или образование дефектов, которые могут уменьшить концентрацию носителей заряда. Таким образом, свойства квазиомических контактов могут существенно зависеть от особенностей метода их изготовления. [15]

Страницы: 1 2