Сильно легированная область

Cтраница 2

Ширина областей, где снимается окисная пленка, составляет 7 5 мк. При протекании тока по этой сильно легированной области сопротивление будет достаточно мало, что позволяет уменьшить входное сопротивление транзистора. В каждом из квадратов, где сохраняется слабо легированная активная база, создается эмиттерная область. Наличие сильно легированной пассивной базы с решетчатой конфигурацией позволяет добиться равномерного распределения тока между отдельными эмиттерами в этой много-эмиттерной транзисторной структуре. [16]

Генерация квантов в активной области полупроводника является спонтанной и характеризуется тем, что лучи света направлены равновероятно во все стороны. Лучи 3, распространяющиеся в сторону сильно легированной области полупроводника, быстро поглощаются. Активная область В обладает волновод-ным эффектом, и лучи 4 вследствие многократных отражений фокусируются вдоль этой области, поэтому интенсивность торцевого излучения значительно выше, чем в других направлениях выхода света из кристалла. [17]

В случае приложения обратного напряжения крайние переходы смещаются в обратном, а центральный - в прямом направлении. Для большинства тиристоров переход / 3, образованный сильно легированными областями, обладает слабой запирающей способностью и уже при низких обратных направлениях в нем происходит лавинный пробой. [18]

На рис. 6 приведена структура такого полевого транзистора с изолированным затвором. В чистом или слабо легированном кремнии ( подложке) диффузией созданы сильно легированные области противоположного по сравнению с подложкой типа проводимости. [19]

Диэлектриком МДП-конденсатора, формируемого на кремниевой подложке, обычно служит оксидный слой SiCb, толщина которого контролируется режимом наращивания или травления. Верхней обкладкой конденсатора является металлическая ( чаще алюминиевая) пленка электрода, а нижней - сильно легированная область полупроводника, имеющая омический контакт с выводом. [20]

Структура ( а и эквива - Если межДУ полупроводником И. [21]

Диэлектриком МДП-конденсатора, формируемого на кремниевой подложке, обычно служит окисный слой SiOj, толщина которого регулируется травлением. Верхней обкладкой конденсатора является металлическая ( чаще всего алюминиевая) пленка электрода, а нижней - сильно легированная область полупроводника, имеющая омический контакт с выводом. [22]

Выбор оптимального удельного сопротивления для мощных. [23]

При этом транзистор начнет себя вести аналогично четырехслойному переключателю и его предельное напряжение, а также ток ( в той области, где он работает как транзистор) могут резко упасть. Для предотвращения этого явления необходимо следить за тем, чтобы под коллекторным контактом в теле коллектора всюду имелась сильно легированная область. [24]

Вольтамиорная характеристика типичного образца при разных температурах показана на фиг. При изменении полярности сопротивление кристалла обычно уменьшалось ( благодаря инжекции), но иногда увеличивалось, если напаянный контакт был настолько хорошим, что могла произойти эксклюзия. Были изготовлены отдельные образцы с сильно легированными областями на обоих концах, причем получались симметричные кривые. [25]

Формирование контактов также относится к основным операциям технологического цикла. Контакты создают на пластине, где выходы областей р-л-переходов и области формирования пассивных элементов закрыты слоем оксида. Поэтому прежде всего необходимо с помощью фотолитографической обработки в слое оксида вскрыть окна над предварительно созданными сильно легированными областями п - или р - типа, которые обеспечивают низкое переходное сопротивление контакта. Затем методом вакуумного напыления всю поверхность пластины покрывают слоем металлизации. При второй фотолитографической обработке лишний металл удаляют, оставляя его только в местах контактных площадок и разводки. Полученные таким образом контакты термически обрабатывают ( вжигание) для улучшения адгезии материала контакта к поверхности и уменьшения переходного сопротивления. [26]

Распределение зарядов в поверхностном слое кремния р-типа. [27]

Приборы с каналом р-типа в принципе могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. Структура такого транзистора подобна структуре транзистора с каналом п-типа. Отличие заключается в том, что подложка имеет электропроводность л-типа, а исток и сток представляют собой сильно легированные области р-типа. [28]

ВАХ реальных диодов с р - re - переходом могут заметно отличаться от рассмотренной ВАХ идеализированного диода. Это касается диапазона как малых напряжений смещения, так и больших. В диапазоне малых напряжений, помимо рассмотренного нами диффузионного механизма протекания тока через р - ге-переход, могут существовать еще туннельный и рекомбинационный механизмы. Туннельный ток возникает при прямом и обратном смещении в тонком р - га-переходе, образованном очень сильно легированными областями п - и р-типа. Такие уровни легирования обычно не используются для создания рабочего р - га-перехода солнечных элементов. Рекомбинационный ток при прямом смещении обусловлен присутствием неконтролируемых примесей, создающих разрешенные уровни энергии в глубине запрещенной зоны. На эти же уровни попадают и дырки из р-области. Эти носители тока исчезают в результате рекомбинации и освобождают глубокие уровни для новых электронов и дырок. [29]

Страницы: 1 2