Начальная область
Cтраница 3
Этой температурой определяется начальная область, в которой необходимо выявлять кинетику процесса. [31]
В процессе релаксации начальная область АГ0, размешиваясь по поверхности заданной энергии, покрывает все большее количество областей, на которые разбито Г - пространство при выбранном типе макроскопической характеристики. Вероятность осуществления того или иного состояния пропорциональна мере точек начальной области, попавших в область, соответствующую этому состоянию. В ходе размешивания растет вероятность осуществления областей с большим объемом, покуда не наступит состояние релаксации, при котором вероятность осуществления пропорциональна величине объема. Таким образом, энтропия состояний фиксирована, и с течением времени увеличивается лишь вероятность осуществления состояния с большей энтропией. [32]
 |
График температурных кривых, отражающих протекание химической реакции ( кривая 1 и процесса подогрева исходных компонентов ( кривая 2. [33] |
Этой температурой определяется начальная область, в которой необходимо выявлять кинетику процесса. [34]
 |
Характеристики / к / ( U3. 6, 1к. э и / б / ( 11э б, UK. 3.| Ключевые характеристики транзистора.| Схема замещения транзистора, работающего в ключевом режиме. [35] |
Для инверсного включения начальная область характеристик имеет тот же вид и отличается лишь масштабом по осям. [36]
При положительной игле начальная область интенсивной ионизации развивается в стример, который увеличивается ступенями с интервалами в несколько микросекунд. Однако при отрицательной игле сильный инициированный стример примерно за одну микросекунду перекрывает половину искрового промежутка. [37]
Все характеристики в начальной области при любых t / 3 6 пересекаются в одной точке. Для инверсного включения уравнения входных и выходных характеристик подобны вышеприведенным и аналогично все характеристики пересекаются в одной точке. Так как ос af, то точка пересечения характеристик перехода коллектор-эмиттер при инверсном включении лежит ближе к началу координат, чем при нормальном включении транзистора. [38]
Если изотерма в начальной области выпукла к оси адсорбции, из нее можно определить величину удельной поверхности скелета адсорбента s, как описано в гл. [40]
В отличие от начальной области зотерм, капиллярно-конденсационная область для образцов, полученных при 200, 300 и 500 С, почти не изменяется. [42]
Экспериментальные точки для начальной области изотермы отвечают адсорбции на всей поверхности микропористого адсорбента и передают истинные удельные поверхности, определяемые как по двухконстантному уравнению БЭТ, так и по / - методу. [43]
В отличие от начальной области изотерм, капиллярно-конденсационная область для образцов, полученных при 200, 300 и 500 С, почти не изменяется. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5