Замыкающая область
Cтраница 1
Замыкающая область ( треугольная область на рисунке 1.3.8, г) намагничена под углом 90 к основным областям. Магнитная энергия становится равной нулю, так как во внешнем пространстве не будет магнитного поля. [1]
 |
Вид ДС на ( 100 - поверхности кристалла Ре - 3мас. % 81 при а 25. [2] |
Когда Я0 о, имеются два типа замыкающих областей КЛМ ( ОПР) и MHO. При дальнейшем увеличении основные ( более крупные домены полностью исчезают. [3]
В силу явления магнитострикции растяжения в ферромагнетике должны приводить к увеличению энергии замыкающих областей и, как следствие, к уменьшению размеров доменов. Расчеты, проведенные в [55, 215], показали, что для монокристаллических пластин Fe - 3 мас. Si изменение отношения толщины двухстороннего покрытия Л к толщине пластины d от нуля до 0 03 может приводить к уменьшению ширины доменов в 2 5 - 3 раза, что представляет существенный эффект. [4]
 |
Измельчание 90 замыкающих и 180 основных магнитных доменов кристалла Fe - 3 % Si типа ( 100 при упругом растяжении а0. а - 0. б - 120. в - 200 МПа. [5] |
При этом воздействие одноосного упругого растяжения увеличивает магнитоупругую энергию подсистемы поперечно намагниченных замыкающих областей. Поскольку 90 замыкающие домены в материале с XIQO О стремятся расшириться, поэтому они испытывают магни-тострикционные сжатия со стороны основных 180 доменов. Дополнительное их сжатие за счет внешних упругих напряжений приводит к снижению объема замыкающих доменов путем их дробления. [6]
 |
Схема доменной сфук-туры ферромагнетика с тремя направлениями легкого намагничения. [7] |
Действительно, изобразим ферромагнетик с тремя направлениями легкого намагничения схематически ( без замыкающих областей), как это изображено на рис. Ilia. Этот кристалл имеет три блока доменов. Если к этому кристаллу приложить небольшое магнитное поле в направлении, указанном на рис. 111 б, магнитные фазы ( домены), расположенные под меньшим углом к направлению внешнего поля, будут расти за счет своих антипараллельных соседей. [8]
 |
Измельчание 90 замыкающих и 180 основных магнитных доменов кристалла Fe - 3 % Si типа ( 100 при упругом растяжении а0. а - 0. б - 120. в - 200 МПа. [9] |
При этом воздействие одноосного упругого растяжения увеличивает магнитоупругую энергию подсистемы поперечно намагниченных замыкающих областей. Поскольку 90 замыкающие домены в материале с XIQO 0 стремятся расшириться, поэтому они испытывают мапти-тострикционные сжатия со стороны основных 180 доменов. Дополнительное их сжатие за счет внешних упругих напряжений приводит к снижению объема замыкающих доменов путем их дробления. [10]
Для смыкания области канала с истоком и стоком используется ионное легирование. Ионы свободно проходят сквозь тонкий затворный окисел и образуют в подложке замыкающие области того же типа проводимости, что и диффузионные области. Дальнейшая обработка пластины практически ничем не отличается от стандартной. [11]
 |
Модель ДС в пластине магнитотрехосного кристалла с плоскостью поверхности ( 100, положенная в основу расчета магн иго упругой энергии Размер пластины вдоль у равен Ly. [12] |
Структура такого типа предложена в работе [96] и наблюдалась в железе Вильямсом [74], который привел фотографию такой ДС. Несмотря на кажущуюся возможность существования широких доменов, соизмеримых с размерами кристалла, такая ситуация не может реализоваться, поскольку приведет к сильному увеличению магнитоупругой энергии, пропорциональной объему замыкающих областей. [13]
На рис. 2.24 приведена расшифровка этой структуры. На основе такой расшифровки в [154] показано, что если толщина пластины d достаточно мала ( - 7i / i) то ширина D основных доменов зависит не только от длины пластины, вдоль которой направлены ДГ основной ДС, но и от d, что связано с зависимостью от d ширины доменов, образующих субструктуру замыкающих областей. [14]
Страницы: 1 2